Вышедшие номера
Особенности динамической инжекции и процессов модуляции базового слоя в мощных n+-p-p+-структурах
Мнацаканов Т.Т.1, Левинштейн М.Е.2, Тандоев А.Г.1, Юрков С.Н.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Исследовано влияние эффекта насыщения скорости электронов на переключение n+-p-p+-структуры в квазинейтральном дрейфовом режиме. Показано, что насыщение скорости инжектированных n+-p-эмиттером электронов существенно замедляет пролет волны электронов через p-базу n+-p-p+-структуры. Этот эффект сказывается также на этапе накопления носителей заряда в p-базе структуры. Проявления эффекта насыщения скорости оказываются тем более существенными, чем больше толщина базового слоя и чем больше скорость нарастания тока, текущего через структуру. Полученные результаты дополняют предложенное ранее классическое описание распространения волны неосновных носителей заряда, не учитывавшее эффекта насыщения скорости носителей. Результаты аналитического расчета подтверждены с помощью численного эксперимента. PACS: 72.20.Ht, 73.40.Lq, 84.30.Jc