"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности динамической инжекции и процессов модуляции базового слоя в мощных n+-p-p+-структурах
Мнацаканов Т.Т.1, Левинштейн М.Е.2, Тандоев А.Г.1, Юрков С.Н.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Исследовано влияние эффекта насыщения скорости электронов на переключение n+-p-p+-структуры в квазинейтральном дрейфовом режиме. Показано, что насыщение скорости инжектированных n+-p-эмиттером электронов существенно замедляет пролет волны электронов через p-базу n+-p-p+-структуры. Этот эффект сказывается также на этапе накопления носителей заряда в p-базе структуры. Проявления эффекта насыщения скорости оказываются тем более существенными, чем больше толщина базового слоя и чем больше скорость нарастания тока, текущего через структуру. Полученные результаты дополняют предложенное ранее классическое описание распространения волны неосновных носителей заряда, не учитывавшее эффекта насыщения скорости носителей. Результаты аналитического расчета подтверждены с помощью численного эксперимента. PACS: 72.20.Ht, 73.40.Lq, 84.30.Jc
  1. A.F. Kardo-Sysoev. In: Ultrawideband Radar Technology, ed. by J.D. Taylor (CRC Press, 2000) p. 205
  2. P. Rodin, U. Ebert, W. Hundsdorfer, I.V. Grekhov. J. Appl. Phys., 92, 1971 (2002)
  3. А.В. Горбатюк, И.ВА. Грехов, С.В. Коротков, Л.С. Костина, Н.С. Яковчук. Письма ЖТФ, 8, 685 (1982)
  4. В.М. Тучкевич, И.В. Грехов. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
  5. S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. Sol. St. Electron., 47, 1255 (2003)
  6. S.N. Vainshtein, J.T. Kostamovaara, Y. Sveshnikov, S. Gurevich, M. Kulagina, V.S. Yuferev, L. Shestak, M. Sverdlov. Electron. Lett., 40, 85 (2004)
  7. И.В. Грехов. Изв. РАН Сер. Энергетика, N 1, 53 (2000)
  8. I.V. Grekhov, G.A. Mesyats. IEEE Trans. Plasma Sci., 28, 1540 (2000)
  9. С.А. Дарзнек, Ю.А. Котов, Г.А. Месяц, С.Н. Рукин. ДАН, 334, 304 (1994)
  10. Ю.А. Котов, Г.А. Месяц, С.Н. Рукин, А.Л. Филатов. ДАН, 330, 515 (1993)
  11. Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968)
  12. R.H. Dean. J. Appl. Phys., 46, 585 (1969)
  13. С.Л. Румянцев. ФТП, 26, 1955 (1992)
  14. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M. Das, A.K. Agarwal. Semicond. Sci. Technol., 20, 62 (2005)
  15. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, P.A. Ivanov, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. J. Appl. Phys., 99, 074 503 (2006)
  16. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  17. Э. Камке. Справочник по дифференциальным уравнениям в частных производных первого порядка (М., Наука, 1966)
  18. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
  19. Т.Т. Мнацаканов, И.Л. Ростовцев, Н.И. Филатов. ФТП, 18, 1293 (1984)
  20. T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143, 225 (1987)
  21. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov. IEEE Trans. Electron. Dev., 49, 702 (2002)
  22. П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005).
  23. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. In: SiC Materials and Devices, ed. by M.S. Shur, S.L. Rumyantsev and M.E. Levinshtein (Singapore, World Scientific, 2006) v.1, p. 227
  24. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (eds). Handbook Series of Semiconductor Parameters: Elementary Semiconductors and A-=SUP=-III-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-B-=SUP=-V-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=- Compounds Si, Ge, C, GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb (Singapore, World Scientific, 1996) v. 1
  25. В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.