Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs (001) эпитаксией из молекулярных пучков
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
2Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.
Выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001) гетероэпитаксиальные слои ZnTe и напряженные квантово-размерные структуры ZnTe/Zn1-xCdxTe/ZnTe изучены методами низкотемпературной катодолюминесценции и токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней (ТРСГУ). В спектрах ТРСГУ квантово-размерных структур обнаружен пик, обусловленный эмиссией электронов с основного уровня размерного квантования в зоне проводимости. С использованием данных ТРСГУ и катодолюминесценции определен параметр разрыва зоны проводимости QC. Для структур с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe и x=0.2-0.22 значение QC оказалось равным 0.82± 0.05. Представлены расчеты влияния внутренних упругих напряжений на разрыв зон вблизи границ квантовой ямы CdxZn1-xTe и параметр QC, которые хорошо описывают экспериментальные данные.
- H. Mariette, F. Dal'bo, N. Magnea, G. Lentz, H. Tuffigo. Phys. Rev. B, 38, 12 443 (1988)
- P. Peyla, Y. Merle d'Aubigne, A. Wasiela, R. Romestain, H. Mariette. Phys. Rev. B, 46, 1557 (1992)
- Tran Min Duc, C. Hsu, J.P. Faurie. Phys. Rev. Lett., 58, 1127 (1987)
- T.W. Kim, H.L. Park. J. Cryst. Growth, 159, 467 (1996)
- O. Chretien, R. Apetz, L. Vescan, A. Souifi, H. Luth, K. Schmalz, J.J. Koulman. J. Appl. Phys., 78, 5439 (1995)
- K.L. Jiao, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 73, 271 (1993)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- C.B. Norris. J. Appl. Phys., 53, 5172 (1982)
- П.С. Киреев, А.Г. Корницкий, В.Н. Мартынов, Ю.В. Платонов, А.В. Ванюков. ФТП, 4, 900 (1970)
- G. Bastard, J.A. Brum. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1625 (1986)
- H. Mathieu, P. Lefebvre, P. Christol. Phys. Rev. B, 46, 4092 (1992)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 2, с. 15
- R.K. Swank. Phys. Rev., 153, 844 (1967)
- H.J. Lozykowski, V.K. Shastri. J. Appl. Phys., 69 3235 (1991)
- F.K. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 172, 816 (1968)
- C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
- W. Wardzynski, W. Giriat, H. Szymaczk, R. Kowalczyk. Phys. St. Sol. (b), 49, 71 (1972)
- M. Zigone, H. Roux-Buisson, H. Tuffigo, N. Magnea, H. Mariette. Semicond. Sci. Technol., 6, 454 (1991)
- D.J. Thomas. J. Appl. Phys., 32, 2298 (1961)
- P.J. Parbrook, B. Henderson, K.P. O'Donnel, P.J. Wright, B. Cockayne. J. Cryst. Growth, 117, 492 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
