"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-SnO2 на p-Si в условиях газовой адсорбции
Васильев Р.Б.1, Гаськов А.М.1, Румянцева М.Н.1, Рыжиков А.С.1, Рябова Л.И.1, Акимов Б.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Синтезированы гетероструктуры n-SnO2(Me) / p-Si (Me: Cu, Pd, Ni) с толщиной слоя SnO2 0.8-1 мкм. Средний размер кристаллита диоксида олова составлял 6-8 нм. Вольт-амперные характеристики структур измерены в осушенном воздухе и в условиях адсорбции молекул NO2 и C2H5OH. Вольт-амперные характеристики в атмосфере воздуха удовлетворительно описываются в рамках диодной теории с высокими значениями коэффициента неидеальности: beta~8-18. Адсорбция газовых молекул приводит к существенной модификации вольт-амперных характеристик как в области прямых, так и в области обратных смещений. Вид вольт-амперных характеристик объясняется с учетом активационных переходов через барьер, высота которого может как уменьшаться, так и увеличиваться в зависимости от типа адсорбированной молекулы, и изменения характера туннельных процессов на гетероконтакте.
  1. I. Lundstrom, S. Shivaraman, C. Svensson, L.A. Lundkvist. Appl. Phys. Lett., 26, 55 (1975)
  2. L.G. Ekedahl, M. Eriksson, I. Lundstrom. Acc. Chem. Res., 31, 249 (1998)
  3. W.P. Kang, C.K. Kim. Appl. Phys. Lett., 63, 421 (1993)
  4. A.D'Amico, G. Fortunato, G. Petrocco, C. Coluzza. Appl. Phys. Lett., 42, 964 (1983)
  5. L.M. Lechuga, A. Calle, D. Golmayo, F. Briones. Sens. Actuators B, 4, 515 (1991)
  6. U. Hoefer, H. Bottner, E. Wagner, C.D. Kohl. Sens. Actuators B, 47, 213 (1998)
  7. Y. Ushio, M. Miyayama, H. Yanagida. Sens. Actuators B, 12, 135 (1993)
  8. Y. Ushio, M. Miyayama, H. Yanagida. Sens. Actuators B, 17, 221 (1994)
  9. W. Zhang, H. Uchida, T. Katsube, T. Nakatsubo, Y. Nishioka. Sens. Actuators B, 49, 58 (1998)
  10. Р.Б. Васильев, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова, Б.А. Акимов, А.М. Гаськов, М. Лабо, М. Лангле. Письма ЖТФ, 25, 22 (1999)
  11. M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, L.I. Ryabova, J.P. Senateur, B. Chenevier, M. Labeau. Mater. Sci. Eng., 41, 333 (1996)
  12. M. Rumyantseva, M. Labeau, G. Delabouglise, L. Ryabova, A. Gaskov. J. Mater. Chem., 7, 1785 (1997)
  13. C.G. Fonstad, R.H. Rediker. J. Appl. Phys., 42, 2911 (1971)
  14. Б.А. Акимов, А.М. Гаськов, М. Лабо, М.М. Осипова, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова. Вестн. МГУ. Сер. 3. Физика, астрономия, N 5, 60 (1996)
  15. Б.А. Акимов, А.М. Гаськов, М. Лабо, С.Е. Подгузова, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова, А. Тадеев. ФТП, 33, 205 (1999)
  16. V.E. Henrich, P.A. Cox. The surface science of metal oxides (Cambridge University Press, 1996)
  17. J.A. Agapito, J.P. Santos. Sens. Actuators B, 31, 93 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.