"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронно-ионный обмен на межфазных границах диэлектрик--полупроводник и его влияние на транспорт ионов в изолирующем слое
Гольдман Е.И.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 11 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Построена теория ионного переноса в изолирующих слоях на поверхности полупроводников. Учтены процессы нейтрализации ионов, распада нейтральных ассоциатов ион + электрон, ионного дрейфа и диффузии нейтральных ассоциатов. Теория позволяет разрешить противоречие в интерпретации экспериментальных данных о ионной деполяризации слоев SiO2, которые проявляют себя взаимоисключающе: и как система ионных ловушек с широким распределением времен жизни, и как среда со свободными ионами. Роль ловушек играют нейтральные ассоциаты; широкое распределение времен жизни обусловлено разбросом длин туннелирования электронов при распаде ассоциатов. Повышение степени ионизации при квазистационарном уменьшении электрического поля обеспечивает плавный переход от совокупности малоподвижных нейтральных ассоциатов к ансамблю свободных ионов.
  1. M. Yamin. IEEE Trans. Electron. Dev., 12, 88 (1965)
  2. C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) 7.3.2
  3. E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N. Y., 1982) ch. 15
  4. J.V. Verwey, E.A. Amerasekera, J. Bisschop. Rep. Progr. Phys., 53, 1297 (1990)
  5. T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
  6. M.R. Boundry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
  7. J.P. Stagg, M.R. Boundry. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
  8. M.W. Hillen, D.G. Hemmes. Sol. St. Electron., 24, 773 (1981)
  9. C. Choquet, C. Plossu, M. Berenguer, B. Balland. Thin Sol. Films, 167, 45 (1988)
  10. S.R. Hofstein. Appl. Phys. Lett., 10, 291 (1967)
  11. R.J. Kriegler, T.F. Devenyi. Thin Sol. Films, 36, 435 (1976)
  12. M. Kuhn, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci., 118, 966 (1971)
  13. A.G. Tangena, J. Middelhock, N.F. de Rooij. J. Appl. Phys., 49, 2876 (1978)
  14. A.G. Tangena, N.F. de Rooij, J. Middelhock. J. Appl. Phys., 49, 5576 (1978)
  15. N.J. Chou. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci., 118, 601 (1971)
  16. W. Marciniak, H.M. Przewlocki. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. Techn., 123, 1207 (1976)
  17. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33(8), 933 (1999)
  18. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) гл. 3
  19. I. Lundstrom, C. Svensson. J. Appl. Phys., 43, 5045 (1972)
  20. G. Greeuw, B.J. Hoenders. J. Appl. Phys., 55, 3371 (1984)
  21. E.I. Goldman, A.G. Zhdan. Semicond. Sci. Technol., 5, 675 (1990)
  22. J.G. Simmons, L.S. Wei. Sol. St. Elecron., 17, 117 (1974)
  23. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  24. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 31, 1468 (1997)
  25. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33(8), 962 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.