Вышедшие номера
Термодинамические и кинетические аспекты реконструкционных переходов на поверхности (001) GaAs
Галицын Ю.Г.1, Мансуров В.Г.1, Мощенко С.П.1, Торопов А.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Проведен кинетический и термодинамический анализ реконструкционных переходов на поверхности (001) арсенида галлия. Показано, что переход от As-стабилизированной (2x 4)beta 2 до Ga-стабилизированной (2x 4)beta2 структуры в потоке As4 является неравновесным фазовым переходом и осуществляется в условиях достижения определенной стационарной концентрации адатомов мышьяка на поверхности. Переход является непрерывным и описывается трехпараметрической изотермой. Движущей силой адсорбат-индуцированного перехода является энергия стабилизации фазы (2x 4)beta2, возникающая при образовании димеров мышьяка из адатомов мышьяка. Проведена оценка этой энергии. Обсуждаются особенности фазовых переходов, происходящих в потоке As4 и в условиях десорбции пленки аморфного мышьяка.