"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термодинамические и кинетические аспекты реконструкционных переходов на поверхности (001) GaAs
Галицын Ю.Г.1, Мансуров В.Г.1, Мощенко С.П.1, Торопов А.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Проведен кинетический и термодинамический анализ реконструкционных переходов на поверхности (001) арсенида галлия. Показано, что переход от As-стабилизированной (2x 4)beta 2 до Ga-стабилизированной (2x 4)beta2 структуры в потоке As4 является неравновесным фазовым переходом и осуществляется в условиях достижения определенной стационарной концентрации адатомов мышьяка на поверхности. Переход является непрерывным и описывается трехпараметрической изотермой. Движущей силой адсорбат-индуцированного перехода является энергия стабилизации фазы (2x 4)beta2, возникающая при образовании димеров мышьяка из адатомов мышьяка. Проведена оценка этой энергии. Обсуждаются особенности фазовых переходов, происходящих в потоке As4 и в условиях десорбции пленки аморфного мышьяка.
  1. Q. Xue, T. Hashizume, A. Ichimiya, T. Ohno, Y. Hasegawa, T. Sakuraj. Sci. Rep. RITU, A44, 113 (1997)
  2. I. Chizhov, G. Lee, R.F. Willis, D. Lubyshev, D.L. Miller. Surf. Sci., 419, 1 (1998)
  3. A.R. Avery, D.M. Holmes, T.S. Jones, B.A. Joyce, G.A. Briggs. Phys. Rev. B, 50, 8098 (1994)
  4. Q. Xue, T. Hashizume, T. Sakuraj. Progr. Surf. Sci., 56, 1 (1997)
  5. T. Hashizume, Q. Xue, J. Zhou, A. Ichimiya, T. Sakukaj. Phys. Rev. Lett., 73, 2208 (1994)
  6. J. Behrend, M. Wassermeier, L. Daweritz, K.H. Ploog. Surf. Sci., 342, 63 (1995); 372, 307 (1997)
  7. H. Yamaguchi, Y. Horikoshi. Phys. Rev. B, 51, 9836 (1995)
  8. V.P. Zhdanov, B. Kasemo. Surf. Sci. Reports, 20, 113 (1994)
  9. J.B. Arthur. J. Phys. Chem. Sol., 28, 2257 (1967)
  10. G.X. Qian, R.M. Martin, D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 38, 7649 (1989); J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 933 (1987)
  11. Foxon, B.A. Joyce. Surf. Sci., 50, 434 (1975)
  12. Y. Fukunishi, H. Nakatsuji. Surf. Sci., 291, 271 (1993)
  13. Yu.G. Galitsyn, S.P. Moshchenko, A.S. Suranov. Phys. Low-Dim. Structur., 7/8, 81 (1998)
  14. Yu.G. Galitsyn, V.G. Mansurov, I.I. Marahovka. Phys. Low-Dim. Structur., 5/6, 75 (1997); 7, 55 (1997)
  15. Northrup, S. Froyen. Phys. Rev. B, 50, 2015 (1994)
  16. D.J. Chadi. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 834 (1987)
  17. T. Ohno. Phys. Rev. Lett., 70, 631 (1993)
  18. V.P. Zhdanov. Elementary Physico-chemical Processes on Solid Surfaces (N.Y., Plenium, 1991)
  19. W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Berlin, Springer Verlag, 1993) p. 366

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.