Дислокационная природа туннельного избыточного тока в структурах GaAs--Ni, модифицированных лазерным излучением
Джаманбалин К.К.1, Дмитриев А.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.
На основе анализа основных факторов импульсного воздействия лазерного излучения на образование точечных и линейных дефектов в кристаллах показано, что в условиях реального эксперимента концентрация образующихся собственных дефектов недостаточна, чтобы обеспечить многоступенчатое туннелирование электронов через широкий слой объемного заряда. На этом основании, а также на основании сходства в поведении туннельного избыточного тока в исследованных структурах при повторных облучениях с особенностями пластической деформации при повторных воздействиях сделан вывод об определяющей роли дислокаций в появлении туннельного избыточного тока.
- P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Furioli, P. Sartori, J. Mu, V. Jsinski. J. Electron. Mater., 26(3), 311 (1997)
- К.К. Джаманбалин, А.Г. Дмитриев. ФТП, 24(11), 2024 (1990)
- К.К. Джаманбалин, А.Г. Дмитриев, В.В. Евстропов, М.И. Шульга. ФТП, 25 (10), 1774 (1991)
- Туннельные явления в твердых телах, под ред. Э. Бурштейна, С. Лундквиста (М., Мир, 1973)
- Г.Б. Абдуллаев, Т.О. Джафаров. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах (М., Атомиздат, 1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук