"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дислокационная природа туннельного избыточного тока в структурах GaAs--Ni, модифицированных лазерным излучением
Джаманбалин К.К.1, Дмитриев А.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

На основе анализа основных факторов импульсного воздействия лазерного излучения на образование точечных и линейных дефектов в кристаллах показано, что в условиях реального эксперимента концентрация образующихся собственных дефектов недостаточна, чтобы обеспечить многоступенчатое туннелирование электронов через широкий слой объемного заряда. На этом основании, а также на основании сходства в поведении туннельного избыточного тока в исследованных структурах при повторных облучениях с особенностями пластической деформации при повторных воздействиях сделан вывод об определяющей роли дислокаций в появлении туннельного избыточного тока.
  1. P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Furioli, P. Sartori, J. Mu, V. Jsinski. J. Electron. Mater., 26(3), 311 (1997)
  2. К.К. Джаманбалин, А.Г. Дмитриев. ФТП, 24(11), 2024 (1990)
  3. К.К. Джаманбалин, А.Г. Дмитриев, В.В. Евстропов, М.И. Шульга. ФТП, 25 (10), 1774 (1991)
  4. Туннельные явления в твердых телах, под ред. Э. Бурштейна, С. Лундквиста (М., Мир, 1973)
  5. Г.Б. Абдуллаев, Т.О. Джафаров. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах (М., Атомиздат, 1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.