"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Начальные стадии преципитации кислорода в кремнии: влияние водорода
Маркевич В.П.1, Мурин Л.И.1, Lindstrom J.L.2, Suezawa M.3
1Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2Lund University, Department of Solid State Physics, S-221 00 Lund, Sweden
3Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 98, Japan
Поступила в редакцию: 6 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Исследован процесс образования малых кислородных кластеров при температурах T=280-375oC в кристаллическом кремнии, легированном водородом путем высокотемпературной диффузии. Установлено, что присутствие водорода в концентрациях 1015-1016 см-3 приводит к существенному возрастанию (до 106 раз при T=< 300oC) коэффициента диффузии кислорода в кристаллах Si. Обсуждаются возможные механизмы взаимодействия примесных атомов O и H и причины ускоренной водородом диффузии кислорода в кремнии.
  1. Oxygen in Silicon, ed. by F. Shimura [Semiconductors and Semimetals (Academic, London, 1994) v. 42]
  2. Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed. by R. Jones (Kluwer Academic, Dordrecht, 1996) [NATO ASI Ser., 3. High Technology, v. 17]
  3. A.R. Brown, M. Clayborn, R. Murray, P.S. Nandhra, R.C. Newman, J.H. Tucker. Semicond. Sci. Technol., 3, 591 (1988)
  4. R.C. Newman, J.H. Tucker, A.R. Brown, S.A. McQuaid. J. Appl. Phys., 70, 3061 (1991)
  5. S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Phys., 77, 1427 (1995)
  6. H.J. Stein, S. Hahn. Appl. Phys. Lett., 56, 63 (1990)
  7. H.J. Stein, S. Hahn. J. Appl. Phys., 75, 3477 (1994)
  8. A. Hara, M. Koizuka, M. Aoki, T. Fukuda, H. Yamada-Kaneta, H. Mori. Japan. J. Appl. Phys., 33, 5577 (1994)
  9. В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, А.Г. Литвинко. Письма ЖТФ, 19 (19), 39 (1993)
  10. В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 30, 265 (1996)
  11. S.K. Estreicher. Phys. Rev. B, 41, 9886 (1990)
  12. R. Jones, S. Oberg, A. Umerski. Mater. Sci. Forum, 83--87, 551 (1992)
  13. M. Ramamoorthy, S.T. Pantelides. In: Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed. by R. Jones (Kluwer Academic, Dordrecht, 1996) [NATO ASI Ser., 3. High Technology, v. 17. p. 197]
  14. M. Ramamoorthy, S.T. Pantelides. Sol. St. Commun., 106, 243 (1998)
  15. B. Bech Nielsen, K. Tanderup, M. Budde, K.B. Nielsen, J.L. Lindstrom, R. Jones, S. Oberg, B. Hourahine, P. Briddon. Mater. Sci. Forum, 258--263, 391 (1997)
  16. L.I. Murin, T. Hallberg, V.P. Markevich, J.L. Lindstrom. Phys. Rev. Lett., 80, 93 (1998)
  17. T. Hallberg, J.L. Lindstrom, L.I. Murin, V.P. Markevich. Mater. Sci. Forum, 258--263, 361 (1997)
  18. S. Oberg, C.P. Ewels, R. Jones, T. Hallberg, J.L. Lindstrom, L.I. Murin, P.R. Briddon. Phys. Rev. Lett., 81, 2930 (1998)
  19. J.L. Lindstrom, T. Hallberg. J. Appl. Phys., 77, 2684 (1995)
  20. T. Hallberg, J.L. Lindstrom. J. Appl. Phys., 79, 7550 (1996)
  21. R.E. Pritchard, M.J. Ashwin, R.C. Newman, J.H. Tucker, E.C. Lightowlers, M.J. Binns, S.A. McQuaid, R. Falster. Phys. Rev. B, 56, 13 118 (1997)
  22. V.P. Markevich, M. Suezawa. J. Appl. Phys., 83, 2988 (1998)
  23. V.P. Markevich, M. Suezawa, L.I. Murin. Mater. Sci. Eng. B, 58, 26 (1999)
  24. R.E. Pritchard, M.J. Ashwin, J.H. Tucker, R.C. Newman. Phys. Rev. B, 57, R15048 (1998)
  25. A. Baghdadi, W.M. Bullis, M.C. Croarkin, Y. Li, R.I. Sease, R.W. Series, P. Stallhofer, M. Watanabe. J. Electrochem. Soc., 136, 2015 (1989)
  26. M. Pesola, J. Von Boehm, R.M. Nieminen. Phys. Rev. Lett., 82, 4022 (1999)
  27. L.I. Murin, V.P. Markevich. In: Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed. by R. Jones (Kluwer Academic, Dordrecht, 1996) [NATO ASI Ser., 3. High Technology, v. 17. p. 329]
  28. B. Pajot. In: Oxygen in Silicon, ed. by F. Shimura [Semiconductors and Semimetals (Academic, London, 1994) v. 42. chap. 6]
  29. P. Wagner, J. Hage. Appl. Phys. A, 49, 123 (1989)
  30. V.P. Markevich, M. Suezawa, K. Sumino. Mater. Sci. Forum, 196--201, 915 (1995)
  31. B. Hourahine, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon. Mater. Sci. Forum, 258--263, 277 (1997)
  32. R.C. Newman. In: Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed. by R. Jones (Kluwer Academic, Dordrecht, 1996) [NATO ASI Ser., 3. High Technology, v. 17. p. 19]
  33. C. Herring, N.M. Johnson. In: Hydrogen in Semiconductors, ed. by J.I. Pankove and N.M. Johnson [Semiconductors and Semimetals (Academic, San Diego, 1991) v. 34, chap. 10]
  34. A. Van Wieringen, N. Warmholtz. Physica (Amsterdam), 22, 849 (1956)
  35. Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Mater. Sci. Eng. B, 36, 133 (1996)
  36. S.A. McQuaid, R.C. Newman, E.C. Lightowlers. Semicond. Sci. Technol., 9, 1730 (1994)
  37. M.W. Qi, G.R. Bai, T.S. Shi, L.M. Xie. Mater. Lett., 3, 467 (1985)
  38. B. Pajot, B. Clerjaud, Z.-J. Xu. Phys. Rev. B, 59, 7500 (1999)
  39. N. Fukata, M. Suezawa. J. Appl. Phys., 86, 1848 (1999)
  40. S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors [Springer Ser. Mater. Sci., 16 (Springer, Berlin, 1992)]
  41. S.Zh. Tokmoldin, B.N. Mukashev, Kh.A. Abdulin, Yu.V. Gorelkinskii. Physica B: Condens. Matter, 273--274, 204 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.