Генерация объемных дефектов в некоторых полупроводниках лазерным излучением в области прозрачности кристалла
Пляцко С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Исследована лазерно-стимулированная диссоциация областей, обогащенных металлом, и перераспределение точечных дефектов в объеме полупроводникового кристалла под действием инфракрасного лазерного излучения (при энергиях фотонов меньше ширины запрещенной зоны). Показано, что скорость генерации дефектов зависит от плотности мощности, длины волны лазерного излучения и от концентрации примеси. Установлены два механизма миграции лазерно-индуцированных дефектов и оценены энергии активации миграции при воздействии лазерного излучения и после того, как воздействие прекращено.
- А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1974)
- R. Breshi, A. Camanzi, V.J. Fano. J. Cryst. Growth, 58, 399 (1982)
- Ш.М. Дугужев, В.А. Мошников. Тез. докл. Всес. конф. по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (М., 1988)
- Л.В. Гуревич, Г.В. Карачевцев, В.Н. Кондратьев, Ю.А. Лебедев, В.А. Медведев, В.К. Потапов, Ю.С. Ходеев. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону (М., Наука, 1974)
- Т.А. Смородина, Н.Н. Шефталь, А.П. Цуранов. Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника (Л., Наука, 1986)
- S.D. Darchuk, G.N. Panin, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov, E.B. Yakimov. J. Phys. Chem. Sol., 51, 1333 (1990)
- С.Д. Дарчук, Т. Дитл, Л.А. Коровина, С. Колесник, М. Савицкий, Ф.Ф. Сизов. ФТП, 32, 786 (1998)
- M. Fujimoto, J. Sato. Japan. J. Appl. Phys., 5, 128 (1966)
- А.В. Новоселова, В.П. Зломанов, А.М. Гаськов, О.И. Тананаева. Вестник МГУ. Химия, 21, 107 (1980)
- G.W. Pratt. J. Nonmet., 1, 103 (1973)
- Т.В. Саунина, Д.Б. Чеснокова, Д.А. Яськов. ФТП, 17, 985 (1983)
- H. Heinrich. Lect. Not. Phys., 133, 407 (1979)
- С.В. Пляцко, Ю.С. Громовой, С.К. Кадышев, А.А. Климов. ФТП, 28, 138 (1994)
- Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov, L.A. Korovina. J. Phys: Condens. Matter, 2, 10 391 (1990)
- В.И. Фистуль. I Всесоюзная школа по термодинамике и технологии полупроводниковых кристаллов и пленок (Ивано-Франковск, 1986) ч. 1, с. 3
- T.R. Warte. J. Chem. Phys., 28, 103 (1958)
- Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko. The 1 st Int. Conf. on Mater. Sci. of Chalcogenide and Diamond-Structure Semiconductors. Abstr. Booklet (Сhernivtsi, 1994) v. 2, p. 143
- Е.М. Гершензон, Н.М. Певин, М.С. Фогельсон. ФТТ, 11, 1986 (1969)
- N.N. Grigor'ev, T.A. Kudykina, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Semicond. Sci. Technol., 3, 951 (1988)
- N.N. Grigor'ev, T.A. Kudykina, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov, Infr. Phys., 28, 307 (1988)
- С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)
- Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
