"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Генерация объемных дефектов в некоторых полупроводниках лазерным излучением в области прозрачности кристалла
Пляцко С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Исследована лазерно-стимулированная диссоциация областей, обогащенных металлом, и перераспределение точечных дефектов в объеме полупроводникового кристалла под действием инфракрасного лазерного излучения (при энергиях фотонов меньше ширины запрещенной зоны). Показано, что скорость генерации дефектов зависит от плотности мощности, длины волны лазерного излучения и от концентрации примеси. Установлены два механизма миграции лазерно-индуцированных дефектов и оценены энергии активации миграции при воздействии лазерного излучения и после того, как воздействие прекращено.
  1. А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1974)
  2. R. Breshi, A. Camanzi, V.J. Fano. J. Cryst. Growth, 58, 399 (1982)
  3. Ш.М. Дугужев, В.А. Мошников. Тез. докл. Всес. конф. по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (М., 1988)
  4. Л.В. Гуревич, Г.В. Карачевцев, В.Н. Кондратьев, Ю.А. Лебедев, В.А. Медведев, В.К. Потапов, Ю.С. Ходеев. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону (М., Наука, 1974)
  5. Т.А. Смородина, Н.Н. Шефталь, А.П. Цуранов. Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника (Л., Наука, 1986)
  6. S.D. Darchuk, G.N. Panin, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov, E.B. Yakimov. J. Phys. Chem. Sol., 51, 1333 (1990)
  7. С.Д. Дарчук, Т. Дитл, Л.А. Коровина, С. Колесник, М. Савицкий, Ф.Ф. Сизов. ФТП, 32, 786 (1998)
  8. M. Fujimoto, J. Sato. Japan. J. Appl. Phys., 5, 128 (1966)
  9. А.В. Новоселова, В.П. Зломанов, А.М. Гаськов, О.И. Тананаева. Вестник МГУ. Химия, 21, 107 (1980)
  10. G.W. Pratt. J. Nonmet., 1, 103 (1973)
  11. Т.В. Саунина, Д.Б. Чеснокова, Д.А. Яськов. ФТП, 17, 985 (1983)
  12. H. Heinrich. Lect. Not. Phys., 133, 407 (1979)
  13. С.В. Пляцко, Ю.С. Громовой, С.К. Кадышев, А.А. Климов. ФТП, 28, 138 (1994)
  14. Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov, L.A. Korovina. J. Phys: Condens. Matter, 2, 10 391 (1990)
  15. В.И. Фистуль. I Всесоюзная школа по термодинамике и технологии полупроводниковых кристаллов и пленок (Ивано-Франковск, 1986) ч. 1, с. 3
  16. T.R. Warte. J. Chem. Phys., 28, 103 (1958)
  17. Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko. The 1 st Int. Conf. on Mater. Sci. of Chalcogenide and Diamond-Structure Semiconductors. Abstr. Booklet (Сhernivtsi, 1994) v. 2, p. 143
  18. Е.М. Гершензон, Н.М. Певин, М.С. Фогельсон. ФТТ, 11, 1986 (1969)
  19. N.N. Grigor'ev, T.A. Kudykina, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Semicond. Sci. Technol., 3, 951 (1988)
  20. N.N. Grigor'ev, T.A. Kudykina, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov, Infr. Phys., 28, 307 (1988)
  21. С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)
  22. Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.