Вышедшие номера
Магнитотранспорт в полуметаллическом канале в гетероструктурах p-Ga1-xInxAsySb1-y/p-InAs с различным составом твердого раствора
Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Розов А.Е.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Исследованы магнитотранспортные свойства электронного канала на гетерогранице в разъединенных гетеропереходах II типа p-GaInAsSb / p-InAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, с различным составом твердого раствора (x=0.09-0.22) в интервале температур 77-300 K. Показано, что электронный канал с высокой подвижностью (mu=30 000-50 000 см2/(В· с)), образующийся на гетерогранице, сохраняется во всем интервале составов. Обсуждается зонная энергетическая диаграмма исследуемых гетероструктур и оценены параметры электронного канала. Установлено, что электронный канал с высокой подвижностью сохраняется вплоть до комнатной температуры. Такие гетероструктуры могут быть перспективны для создания холловских сенсоров нового типа с электронным каналом на гетерогранице.