"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термоотжиг дефектов в гетероструктурах InGaAs/GaAs с трехмерными островками
Соболев М.М.1, Кочнев И.В.1, Лантратов В.М.1, Берт Н.А.1, Черкашин Н.А.1, Леденцов Н.Н.1, Бедарев Д.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Сообщается о результатах исследования влияния отжига in situ слоя InGaAs в p-n-структурах InGaAs/GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, на процесс формирования трехмерных когерентно напряженных островков. Исследования структур проводились методами вольт-фарадной спектроскопии и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. Установлено, что в неотожженной структуре A происходит образование трехмерных островков с дислокациями несоответствия, а в отожженной структуре B --- квантовых точек. Проведены исследования дефектов с глубокими уровнями. В структуре A обнаружено, что область аккумуляции электронов характеризуется наличием ряда дефектов: EL2, EL3(I3), I2, HL3, HS2, H5. Концентрации ловушек сравнимы с концентрацией мелких доноров, причем концентрация дырочных ловушек больше, чем электронных. После отжига in situ исчезли дефекты EL2 и EL3, связанные с образованием дислокаций; концентрации остальных дефектов упали на порядок и более. Установлено, что в структуре A заселенность квантовых состояний точек контролируется дефектами с глубокими уровнями. В структуре B обнаружено проявление эффекта кулоновского взаимодействия носителей, локализованных в квантовой точке, с ионизованными дефектами.
  1. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley Chichester, 1998)
  2. I.N. Stranski, L. Krastanow. Sitzungsberichte d. Akad. d. Wissenscaften in Wien, Abt. Iib, Band 146, p. 797 (1937)
  3. F. Heinrichsdorff, A. Krost, D. Bimberg, M. Grundmann, A.O. Kosogov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 68, 3284 (1996)
  4. F. Heinrichsdorff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 71, 3284 (1997)
  5. D. Bimberg, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, A. Krost, F. Heinrichsdorff. Appl. Surf. Sci., 130--132, 713 (1998)
  6. J.C. Ferrer, F. Peiro, A. Cornet, J.R. Morante, T. Utzmeier, G. Armelles, F. Briones. Proc. 19th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (Aveiro, Portugal, 1997) [Mater. Sci., Forum, 258--263, 1689 (1997)]
  7. A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 69, 3072 (1996)
  8. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  9. M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov. Proc. 19th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (Aveiro, Portugal, 1997) [Mater. Sci. Forum, 258--263, pt. 3, 1619 (1997)]
  10. М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
  11. М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 33, 184 (1999)
  12. M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. J. Electron. Mater., 28(5), 491 (1999)
  13. D. Stievenard, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 59, 743 (1986)
  14. D. Pons, P.M. Monney, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 51, 2038 (1980)
  15. G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
  16. A. Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977)
  17. П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25, 338 (1991)
  18. D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben. Phys. Rev. B, 41, 5271 (1990)
  19. G. Yusa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 70, 345 (1997)
  20. G.P. Watson, D.G. Ast, T.J. Anderson, B. Pathangey, Y. Hayakawa. J. Appl. Phys., 71, 3399 (1992)
  21. P.D. Siverns, S. Malik, G. McPherson, D. Childs, C. Roberts, R. Murray, B.A. Joyce. Phys. Rev. B, 58, R10 127 (1998)
  22. S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson, W. Seifert. Appl. Phys. Lett., 67, 3016 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.