"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение физико-химических свойств поверхности и приповерхностной области эпитаксиальных слоев n-GaAs под воздействием атомарного водорода
Торхов Н.А.1, Еремеев С.В.2,3
1Научно-исследовательский институт полупроводников (ГНПП НИИПП), Томск, Россия
2Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Показана прямая связь изменений статических приборных характеристик барьеров Шоттки Au-GaAs с изменениями свойств поверхности при обработке структур n-n+-GaAs в атомарном водороде, заключающимися в изменении скорости травления поверхности n-GaAs в растворе диметилформамид : моноэтаноламин = 1 : 3, уменьшении скорости электрохимического осаждения и изменении структуры осаждаемого Au-слоя, а также в пассивации выходящих на поверхность линейных дефектов. Наблюдается практически полное отсутствие фигур травления на поверхности эпитаксиального слоя n-GaAs (100) при обработке в атомарном водороде незащищенной поверхности при температуре 100oC. Для защищенной пленкой SiO2 толщиной 50 Angstrem поверхности уменьшение скорости травления материала n-GaAs и значительное уменьшение количества фигур травления, уменьшение толщины осаждаемого слоя Au, изменение его структуры наблюдаются практически во всем температурном интервале обработок в атомарном водороде (100/ 400oC).
  1. В.Л. Гуртовой, В.В. Дремов, В.А. Макаренко, С.Ю. Шаповал. ФТП, 29(10), 1888 (1995)
  2. J.A. Schafer, V. Persch, S. Stock, Th. Allihger, A. Goldmann. Europhys. Lett., 12(6), 563 (1990)
  3. A. Kishimoto, I. Suemuni, K. Hamaoka, T. Koui, Y. Honda, M. Yamanishi. Japan. J. Appl. Phys., 29(10), 2273 (1990)
  4. Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков, А.В. Говорков, О.М. Бородина, А.С. Брук. ФТП, 22(7), 1203 (1988)
  5. U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57(9), 887 (1990)
  6. Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков. Высокочистые вещества, N 5, 5 (1988)
  7. В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 33(11), 1343 (1998)
  8. В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Международный симпозиум "Распространение радиоволн в городе" (URPS'97), Второй международный симпозиум "Конверсия науки --- международному сотрудничеству" (Сибконверс 97). Труды симпозиумов (Томск, 1997) с. 178
  9. В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Изв. вузов. Физика, N 8, 115 (1997)
  10. Н.А. Торхов, В.Г. Божков. Деп. ВИНИТИ N 313-B99 от 29.01.99
  11. N.M. Johnson, D.K. Biegelsen, M.D. Moyer, V.R. Deline, C.A. Evans. Appl. Phys. Lett., 38(12), 995 (1981)
  12. Н.С. Рытова. ФТП, 25(6), 990 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.