"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Реконструкционный переход (4x2)->(2x4) на поверхности (001)InAs и GaAs
Галицын Ю.Г.1, Мощенко С.П.1, Суранов А.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 15 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Детально изучены фазовые переходы между различными реконструкциями на поверхности (001)GaAs и InAs методом дифракции быстрых электронов на отражение. Предложена кинетическая схема взаимодействия As4 с поверхностью. Показано, как модифицировать основные уравнения, описывающие фазовый переход, если переходы происходят в потоке As4 вместо As2. Предложена модель перехода (4x2)->(2x4) как реконструкционного перехода в слое атомов металла, стабилизированного последующей адсорбцией мышьяка. Существенное отличие переходов в GaAs от InAs обусловлено более жесткими силовыми константами. Метастабильные разупорядоченные фазы играют важную роль в непрерывной эволюции от (2x4)beta до (4x2) фазы в GaAs.
  1. Q. Xue, T. Hashizume, A. Ichimiya, T. Ohno, Y. Hasegawa, T. Sakuraj. Sci. Rep. RITU, A44, 113 (1997)
  2. D.J. Chadi. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 834 (1987)
  3. M.D. Pashley. Phys. Rev. B, 40, 10 481 (1989)
  4. Э. Зенгуил. Физика поверхности (М., Мир, 1990) с. 535
  5. W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Berlin, Springer, 1993) p. 366
  6. J. Behrend, M. Wassermeier, L. Daweritz, K.H. Ploog. Surf. Sci., 342, 63 (1995)
  7. J. Behrend, M. Wassermeier, K.H. Ploog. Surf. Sci., 372, 307 (1997)
  8. H. Yamaguchi, Y. Horikoshi. Phys. Rev. B, 51, 9836 (1995)
  9. Ю.Г. Галицын, В.Г. Мансуров, В.И. Пошевнев, Р.А. Соколов. Поверхность, 7, 59 (1992)
  10. C. Sasaoka, Y. Kato, A. Usui. Appl. Phys. Lett., 62, 2338 (1993)
  11. Yu.G. Galitsyn, V.G. Mansurov, I.I. Marahovka. Phys. Low-Dim. Struct., 5/6, 75 (1997)
  12. Yu.G. Galitsyn, V.G. Mansurov, I.I. Marahovka. Phys. Low-Dim. Struct., 7, 55 (1997)
  13. Ю.Г. Галицын, И.И. Мараховка, С.П. Мощенко. ДАН, 359, 48 (1998)
  14. Ю.Г. Галицын, И.И. Мараховка, С.П. Мощенко, В.Г. Мансуров. Письма ЖТФ, 24, 31 (1998)
  15. E.S. Tok, J.H. Neave, J. Zang, F.E. Allegretti, B.A. Joyce, T.S. Jones. Surf. Sci., 371, 277 (1997)
  16. C.T. Foxon, B.A. Joyce. Surf. Sci., 50, 434 (1975)
  17. J.C. Garcia, C. Neri, J. Massies. J. Cryst. Growth, 98, 511 (1989)
  18. V.P. Zhdanov. Surf. Sci. Reports, 12, N 5, 185 (1991)
  19. В.П. Жданов. Элементарные физико-химические процессы на поверхности (М., Наука, 1988) с. 320
  20. N. Takeuchi, A. Selloni, E. Tosatti. Phys. Rev. B, 49, 10 757 (1994)
  21. A.R. Avery, D.M. Holmes, T.S. Jones, B.A. Joyce, G.A. Briggs. Phys. Rev. B, 50, 8098 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.