Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование коэффициента отражения от полупроводниковой сверхрешетки, помещенной в магнитное поле

Булгаков А.А.¹, Шрамкова О.В.¹

¹Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина

Поступила в редакцию: 25 мая 1999 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучаются особенности распространения магнитоплазменных волн в структуре, образованной периодическим повторением слоев полупроводника и диэлектрика. Внешнее магнитное поле лежит в плоскости слоев, а распространение волн происходит в плоскости, перпендикулярной магнитному полю. В работе были проведены расчеты дисперсионных характеристик с учетом конечности скорости распространения света, исследованы свойства коэффициента отражения от рассматриваемой структуры. Показано, что по зависимости коэффициента отражения от частоты, угла падения и магнитного поля можно получить данные о физических параметрах и толщинах слоев, образующих сверхрешетку.

А.А. Булгаков, О.В. Шрамкова. РЭ (1999) (в печати)
Л. Мандельштам. ЖЭТФ, 15 (9), 475 (1945)
Ю.К. Григулис. Электромагнитный метод анализа слоистых полупроводниковых и металлических структур (Рига, Зинатне, 1970)
Ф.И. Федоров. Оптика анизотропных сред (Минск, Изд-во АН БССР, 1958)
А. Ярив, П. Юх. Оптические волны в кристаллах (М., Мир, 1987)
А.В. Данилов, С.А. Ильченко. Тр. 4-й межд. конф. по электронному транспорту и оптическим явлениям в неоднородных средах (СПб.--М., 1991)
В.П. Силин, А.А. Рухадзе. Электромагнитные свойства плазмы и плазмоподобных сред (М., Атомиздат, 1961)
Ф.Г. Басс, А.А. Булгаков, А.П. Тетервов. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками (М., Наука, 1989)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель