"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование квантовых ям InxGa1-xAs/GaAs методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии
Евстигнеев С.В.1, Имамов Р.М.2, Ломов А.А.2, Садофьев Ю.Г.1, Хабаров Ю.В.3, Чуев М.А.4, Шипицин Д.С.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

Методами рентненовской дифрактометрии и низкотемпературной фотолюминесценции исследованы структуры с квантовыми ямами InxGa1-xAs в GaAs, полученные эпитаксией из молекулярных пучков. Установлена неоднородность состава квантовых ям по толщине. Проведен расчет энергетического положения линий рекомбинации экситонов в квантовых ямах со ступенчатым профилем распределения индия, результаты которого хорошо согласуются с экспериментом.
  1. M.H. Herman, D. Bimberg, J. Christen. J. Appl. Phys., 70, R1 (1991)
  2. H. Jurgen, T.P.E. Broekaert, C.C. Fonstad. J. Appl. Phys., 71, 2475 (1992).
  3. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O.G. Schmidt, D. Bimberg, S.V. Zaitsev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, O.A. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  4. F. Diette, D. Langrez, J.L. Codron, P. Delos, D. Theron, G. Salmer. Electron. Lett., 32, 848 (1996)
  5. Y. Shiraishi, N. Furuhata, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 76, 5099 (1994)
  6. С.В. Евстигнеев, Ю.В. Копаев, Ю.Г. Садофьев, Д.С. Шипицин, С.С. Шмелев. Микроэлектроника, 27, 317 (1998)
  7. S. Kuroda, N. Harada, T. Katakami, T. Mimura, M. Abe. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-36, 2196 (1989)
  8. M. Wojtowicz, D. Pascua, A.-C. Han, T.R. Block, D.C. Streit. J. Cryst. Growth, 175--176, 930 (1997)
  9. T.G. Andersson, Z.G. Chen, V.D. Kulakovskii, A. Uddin, J.T. Vallin. Phys. Rev. B, 37 (8), 4032 (1988)
  10. А.М. Афанасьев, М.А. Чуев, Р.М. Имамов, А.А. Ломов, В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, А.В. Тук. Кристаллография, 42 (3), 514 (1997)
  11. А.М. Афанасьев, М.А. Чуев, Р.М. Имамов, А.А. Ломов. Кристаллография, 45 (3) (2000)
  12. E. Kuphal, A. Pocker, A. Eisenbach. J. Appl. Phys., 73, 4599 (1993)
  13. K.H. Goetz, D. Bimberg, H. Jurgensen, J. Solders, A.V. Solomonov, G.F. Glinski, M. Razeghi. J. Appl. Phys., 54, 4543 (1983)
  14. T.Y. Wang, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 67 (1), 344 (1990)
  15. I.V. Bradley, W.P. Gillin, K.P. Homewood, R.P. Webb. J. Appl. Phys., 73, 1686 (1993)
  16. M.J.L.S. Haines, N. Ahmed, S.J.A. Adams, K. Mitchell, I.R. Agool, C.R. Pidgeon, B.C. Cavenett, E.P. O'Reilly, A. Ghiti, M.T. Emeny. Phys. Rev. B, 43, 11 944 (1991)
  17. K.J. Moore, G. Duggan, K. Woodbridge, C. Roberts. Phys. Rev. B, 41, 1090 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.