Вышедшие номера
Отрицательная дифференциальная проводимость и блоховские осцилляции в естественной сверхрешетке политипа 8H карбида кремния
Санкин В.И.1, Лепнева А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Исследованы особенности электронного транспорта в сильных электрических полях в гексагональном политипе 8H-SiC, обусловленные наличием естественной сверхрешетки в структуре кристалла и связанные с периодическим потенциалом минизон в электронном спектре. Показано, что в этом политипе, как и в ранее исследованных политипах 6H- и 4H-SiC, наблюдается отрицательная дифференциальная проводимость, обусловленная эффектом блоховских осцилляций.
  1. Л.В. Келдыш. ФТТ, 4, 2265 (1962)
  2. G.N. Wannier. Phys. Rev., 11, 432 (1960)
  3. L. Esaky, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
  4. В.И. Санкин, А.В. Наумов. Письма ЖТФ, 16 (7), 91 (1990)
  5. V.I. Sankin, A.V. Naumov. Springer Proc. Phys., 43, 221 (1991)
  6. V.I. Sankin, A.V. Naumov. Superlatt. Microstr., 10, 353 (1991)
  7. В.И. Санкин, И.А. Столичнов. Письма ЖЭТФ, 59, 703 (1994)
  8. V.I. Sankin, I.A. Stolichnov. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1994) p. 87
  9. V.I. Sankin. Superlatt. Microstr., 18 (4), 309 (1996)
  10. В.И. Санкин, И.А. Столичнов. Письма ЖЭТФ, 64, 105 (1996)
  11. В.И. Санкин, А.В. Наумов, И.А. Столичнов. Письма ЖТФ, 17 (23), 38 (1991)
  12. V.I. Sankin. Inst. Phys. Conf., 142, 2.401 (1996)
  13. В.И. Санкин, И.А. Столичнов, А.А. Мальцев. Письма ЖТФ, 22 (24), 29 (1996)
  14. В.И. Санкин, А.А. Лепнева. ФТП, 33, 586 (1999)
  15. В.И. Санкин. ФТТ, 17, 1820 (1975)
  16. А.Ф. Волков, Ш.М. Коган. УФН, 96, 633 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.