"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект Холла в субмонослойных системах Fe на Si (111) n- и p-типа проводимости
Галкин Н.Г.1, Горошко Д.Л.2, Конченко А.В.1, Захарова Е.С.2, Кривощапов С.Ц.2
1Дальневосточный государственный технический университет, Владивосток, Россия
2Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
Поступила в редакцию: 7 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Методом in situ измерений эффекта Холла при комнатной температуре показано, что формирование атомарно-чистой поверхности кремния Si (111) 7x 7 при высокотемпературном отжиге (T=1250oC, t=120-180 с) кремния n-типа проводимости приводит к смене знака основных носителей тока на поверхности, а на поверхности кремния p-типа образуется обогащенный дырками слой. Различная динамика изменений холловского напряжения и напряжения сопротивления в пределах первого монослоя адсорбции железа на подложки как с p-n-переходом, так и со слоем, обогащенным дырками, не связана с проводимостью по адсорбированному слою. Проводимость в слое железа с толщиной более трех монослоев обусловлена в обоих случаях переносом электронов со слоевой концентрацией 2· 1013-2· 1014 см-2 и подвижностью 65--90 см2/(В·с).
  1. S. Neun, J. Bange, R. Schad, M. Henzler. J. Phys.: Condens. Matter., 5, 2913 (1993)
  2. F. Jentzsch, H. Froitzheim, R. Theile. J. Appl. Phys., 66, 5901 (1989)
  3. V.A. Gasparov, K.R. Nikolaev. Phys. Low-Dim. Structur. 1/2, 53 (1996)
  4. M. Henzler, C. Adamski, K. Ronner. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 2127 (1987)
  5. S. Hasegawa, S. Ino. Int. Modern Phys. B, 7, 3817 (1993)
  6. S. Hasegawa, X. Tong, C.-S. Jiang, Y. Nakajima, T. Nagao. Surf. Sci., 386, 322 (1997)
  7. X. Tong, C.-S. Jiang, S. Hasegawa. Phys. Rev. B, 57, 9015 (1998)
  8. Н.Г. Галкин, В.А. Иванов, А.В. Конченко, Д.Л. Горошко. ПТЭ, N 2, 154 (1999)
  9. E.G. Michel. Appl. Surf. Sci., 117/118, 294 (1997)
  10. J. Alvarez, A.L. Vazguez de Parga, J.J. Hinarejos, J. de la Figuera, E.G. Michel, C. Ocal, R. Miranda. Phys. Rev. B, 47, 16 048 (1993)
  11. K.L. Whiteaker, I.K. Robinson, C. Benson, D.M. Smilgies, N. Onda, H. von Kanel. Phys. Rev. B, 51, 9715 (1995)
  12. В.Л. Коньков. Завод. лаб., XXXII(4), 451 (1966)
  13. M. Liehr, M. Renier, R.A. Wachnik, G.S. Scilla. J. Appl. Phys., 61, 4619 (1987)
  14. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981) гл. 2, с. 101

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.