"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительность структур In--SiO2--Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом
Овсюк В.Н.1, Васильев В.В.1, Машуков Ю.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Исследуется фотоэффект в МДП структуре на основе Cd0.28Hg0.72Te с низкотемпературным пиролитическим SiO2 и In толщиной 5000 Angstrem, площадью 0.5x0.5 мм. Для МДП структуры с непрозрачным полевым электродом наблюдаемый фотоэффект заключается в изменении емкости и высокочастотной проводимости МДП структуры, он определяется фотоносителями, образующимися вне МДП структуры и достигающими ее за счет диффузии или по поверхностному каналу. Это происходит, когда МДП структура находится в состоянии инверсии; при этом образуется вихревой электрический ток, который пересекает индуцированный p-n-переход и замыкается сам на себя на периферии МДП структуры. В работе считается, что этот ток и дополнительное напряжение на p-n-переходе связаны между собой формулой Шокли. Определены следующие параметры: beta --- коэффициент в формуле Шокли, характеризующий неидеальность p-n-перехода; R0A --- произведение сопротивления при нулевом смещении на площадь p-n-перехода; Delta S --- площадь сбора фотоносителей. Получено: beta=1.52; R0A=2.7·105 Ом·см2; Delta S соответствует полоске по периметру МДП структуры шириной 15 мкм. Исследуемая МДП структура рассмотрена как фотоприемник.
  1. A. Rogalski, J. Piotrovski. Prog. Quant. Electron., 12, 87 (1988)
  2. R.A. Charman, S.R. Bollero, A. Simmons, J.D. Beck et al. IEEE Trabs. Electron. Dev., ED-27, 134 (1980)
  3. V.V. Vasilyev, D.G. Esaev, A.G. Klimenko et al. Proc. SPIE, 3061, 956 (1997)
  4. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоиздат, 1991) с. 192
  5. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, Сиб. отд.-ние, 1984)
  6. I.M. Baker, M.D. Jenner, J. Parsons et al. Proc. Int. Conf. Advanced Infrared Detectors and Systems (London, 1983) p. 12
  7. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1963) с. 150

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.