"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительность структур In--SiO2--Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом
Овсюк В.Н.1, Васильев В.В.1, Машуков Ю.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Исследуется фотоэффект в МДП структуре на основе Cd0.28Hg0.72Te с низкотемпературным пиролитическим SiO2 и In толщиной 5000 Angstrem, площадью 0.5x0.5 мм. Для МДП структуры с непрозрачным полевым электродом наблюдаемый фотоэффект заключается в изменении емкости и высокочастотной проводимости МДП структуры, он определяется фотоносителями, образующимися вне МДП структуры и достигающими ее за счет диффузии или по поверхностному каналу. Это происходит, когда МДП структура находится в состоянии инверсии; при этом образуется вихревой электрический ток, который пересекает индуцированный p-n-переход и замыкается сам на себя на периферии МДП структуры. В работе считается, что этот ток и дополнительное напряжение на p-n-переходе связаны между собой формулой Шокли. Определены следующие параметры: beta --- коэффициент в формуле Шокли, характеризующий неидеальность p-n-перехода; R0A --- произведение сопротивления при нулевом смещении на площадь p-n-перехода; Delta S --- площадь сбора фотоносителей. Получено: beta=1.52; R0A=2.7·105 Ом·см2; Delta S соответствует полоске по периметру МДП структуры шириной 15 мкм. Исследуемая МДП структура рассмотрена как фотоприемник.
  • A. Rogalski, J. Piotrovski. Prog. Quant. Electron., 12, 87 (1988)
  • R.A. Charman, S.R. Bollero, A. Simmons, J.D. Beck et al. IEEE Trabs. Electron. Dev., ED-27, 134 (1980)
  • V.V. Vasilyev, D.G. Esaev, A.G. Klimenko et al. Proc. SPIE, 3061, 956 (1997)
  • Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоиздат, 1991) с. 192
  • В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, Сиб. отд.-ние, 1984)
  • I.M. Baker, M.D. Jenner, J. Parsons et al. Proc. Int. Conf. Advanced Infrared Detectors and Systems (London, 1983) p. 12
  • С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1963) с. 150
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.