"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов a-Si : H/c-Si
Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Выполнены исследования фоточувствительности гетеропереходов, полученных осаждением тонких аморфных пленок на подложках кристаллического кремния. Обнаружена поляризационная фоточувствительность гетеропереходов, возникающая при наклонном падении линейно поляризованного излучения на их приемную плоскость. Установлено, что наведенный фотоплеохроизм гетеропереходов возрастает с увеличением угла падения theta по квадратичному закону и при theta=80o достигает 60%. Сделан вывод о том, что полученные гетеропереходы могут найти применение в качестве широкополосных фотосенсоров линейно поляризованного излучения.
  • Polycrystalline Semiconductors V-Bulk Materials. Thin Films and Devices, ed. by J.H. Werner, H.P. Strunk, H.W. Schock (Scitec. Publ. Ltd., Uetikon-Zuerich, 1999)
  • K.O. Kuda, H. Okamoto, Y. Hamakawa. Jpn. J. Appl. Phys., 22, L605 (1993)
  • W. Wang, K. Liao. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 70, 399 (1986)
  • R.De Rosa, M.L. Grill, G. Sasikala, M. Tucci, F. Roca. Sol. St. Phenomena, 67--68, 563 (1999)
  • R.M. Hausner, N. Jensen, R.B. Bergman, U. Rau, J.H. Werner. Sol. St. Phenomena, 67--68, 551 (1999)
  • Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
  • Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996)
  • Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Физматгиз, 1976)
  • Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.