Вышедшие номера
Механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики диодных структур n+-Si--n-Si--Al2O3--Pd
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики при T=100 и 300 K, температурная зависимость прямого тока и фототока, влияние магнитного поля на фототок и влияние водорода на фотоэдс и темновой ток. Установлено, что механизм токопереноса как при T=100 K (I propto exp(qV/4kT)), так и при T=300 K (I propto Vm, m=4-5.6) определяется двойной инжекцией в диффузионном приближении. Диодные структуры усиливают фототок при обратном смещении. Установлено, что рост фототока в магнитном поле H (Delta Iph=alphaexpbeta H) может быть объяснен туннелированием фотоносителей при резонансном рассеянии на примесях с учетом их экспоненциального распределения по энергии.