"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики диодных структур n+-Si--n-Si--Al2O3--Pd
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики при T=100 и 300 K, температурная зависимость прямого тока и фототока, влияние магнитного поля на фототок и влияние водорода на фотоэдс и темновой ток. Установлено, что механизм токопереноса как при T=100 K (I propto exp(qV/4kT)), так и при T=300 K (I propto Vm, m=4-5.6) определяется двойной инжекцией в диффузионном приближении. Диодные структуры усиливают фототок при обратном смещении. Установлено, что рост фототока в магнитном поле H (Delta Iph=alphaexpbeta H) может быть объяснен туннелированием фотоносителей при резонансном рассеянии на примесях с учетом их экспоненциального распределения по энергии.
  1. С.В. Слободчиков, Г.Г. Ковалевская, А.В. Пенцов, Х.М. Салихов. ФТП, 27 (7), 1213 (1993)
  2. Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63 (2), 185 (1993)
  3. С.В. Слободчиков, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, М.М. Мередов, А.И. Язлыева. ФТП, 29 (8), 1517 (1995)
  4. R. Baron. Phys. Rev., 137(1A), A272 (1965)
  5. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978) гл. 2, с. 73
  6. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖТФ, 84 (2), 811 (1983)
  7. G.N. Parker, C.A. Mead. Phys. Rev., 184 (3), 780 (1969)
  8. J.C. Penley. Phys. Rev., 128 (2), 596 (1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.