"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Инжекционные токи в кремниевых структурах с блокированной прыжковой проводимостью
Есаев Д.Г.1, Синица С.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Показано, что инжекционные токи в структурах с блокированной прыжковой проводимостью (BIB-структуры) могут быть интерпретированы как токи термоэлектронной эмиссии Ричардсона через потенциальные барьеры. Потенциальные барьеры определяются химическим потенциалом электронов в областях N++-N+ (N++-I). Также показано, что измерение потенциала инжекции является удобным методом определения степени компенсации в кремниевых структурах с "омическими" контактами.
  • E. Simoen, B. Dierickx, L. Deferm, C. Claeys, G. Deckerck. J. Appl. Phys., 68, 4091 (1990)
  • Y.Yang, D.D. Coon, P.F. Shepard. Appl. Phys. Lett., 45, 752 (1984)
  • Д.Г. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский. ФТП, 33, 614 (1999)
  • М. Ламперт. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • B.G. Martin. Sol. St. Electron., 33, 427 (1990)
  • D.D. Coon, S.D. Gunapala. J. Appl. Phys., 57, 5525 (1985)
  • A.G.U. Perera, H.X.Yuan, M.H. Francombe. J. Appl. Phys., 77, 915 (1995)
  • H.X.Yuan, A.G.U. Perera. Appl. Phys. Lett., 66, 2262 (1995)
  • Д.Г. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский. ФТП, 33, 1005 (1999)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • N. Sclar. Prog. Quant. Electron., 9, 214 (1984)
  • C.R. Crowell. Sol. St. Electron., 8, 395 (1965)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.