"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инжекционные токи в кремниевых структурах с блокированной прыжковой проводимостью
Есаев Д.Г.1, Синица С.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Показано, что инжекционные токи в структурах с блокированной прыжковой проводимостью (BIB-структуры) могут быть интерпретированы как токи термоэлектронной эмиссии Ричардсона через потенциальные барьеры. Потенциальные барьеры определяются химическим потенциалом электронов в областях N++-N+ (N++-I). Также показано, что измерение потенциала инжекции является удобным методом определения степени компенсации в кремниевых структурах с "омическими" контактами.
  1. E. Simoen, B. Dierickx, L. Deferm, C. Claeys, G. Deckerck. J. Appl. Phys., 68, 4091 (1990)
  2. Y.Yang, D.D. Coon, P.F. Shepard. Appl. Phys. Lett., 45, 752 (1984)
  3. Д.Г. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский. ФТП, 33, 614 (1999)
  4. М. Ламперт. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  5. B.G. Martin. Sol. St. Electron., 33, 427 (1990)
  6. D.D. Coon, S.D. Gunapala. J. Appl. Phys., 57, 5525 (1985)
  7. A.G.U. Perera, H.X.Yuan, M.H. Francombe. J. Appl. Phys., 77, 915 (1995)
  8. H.X.Yuan, A.G.U. Perera. Appl. Phys. Lett., 66, 2262 (1995)
  9. Д.Г. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский. ФТП, 33, 1005 (1999)
  10. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  11. N. Sclar. Prog. Quant. Electron., 9, 214 (1984)
  12. C.R. Crowell. Sol. St. Electron., 8, 395 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.