"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект Стеблера--Вронского и температурные зависимости фотопроводимости a-Si : H p-типа
Кузнецов C.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 24 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

Исследованы температурные зависимости фотопроводимости легированных бором пленок a-Si : H до и после длительного освещения. Установлено, что фотопроводимость исследованных пленок в интервале температур от 200 до 300 K (средние температуры) не зависит от уровня легирования и концентрации глубоких рекомбинационных центров --- оборванных связей. Для объяснения экспериментальных результатов использована модель рекомбинации, согласно которой в a-Si : H p-типа функция заполнения нейтральных оборванных связей (следовательно, и фотопроводимость) определяется параметрами состояний хвоста валентной зоны и не зависит от уровня легирования и полной концентрации оборванных связей.
  1. A.G. Kazanskii, S.V. Kuznetsov. Phys. St. Sol. (b), 168, K19 (1991)
  2. А.Г. Казанский, Е.А. Шамонина. ФТП, 27, 1688 (1993)
  3. А.Г. Казанский, И.В. Климашин, С.В. Кузнецов. ФТП, 24, 1628 (1990)
  4. F. Vaillant, D. Jousse. Phys. Rev. B, 34, 4088 (1986)
  5. M. Hoheisel, R. Carius, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 59\&60, 457 (1983)
  6. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Изд-во иностр. лит., 1962) с. 96. [Пер. с англ., Richard H. Bube. Photoconductivity of Solids (N. Y.--London, John Wiley and Sons, Inc., 1960)]
  7. M. Stutzman, W.B. Jackson. Sol. St. Commun., 62, N 3, 153 (1987)
  8. M. Stutzman, W.B. Jackson, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, 32, 23 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.