"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Насыщение межзонного поглощения в полупроводниках
Меликян А.О.1, Минасян Г.Р.1
1Государственный инженерный университет, Ереван, Армения
Поступила в редакцию: 22 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

В рамках формализма матрицы плотности вычислены коэффициенты нелинейного поглощения волны накачки и пробной волны в прямозонном полупроводнике. Основная особенность расчета заключается в учете дисперсии носителей. Впервые показано, что закон дисперсии определяет характер насыщения коэффициента поглощения. Зависимость вычисленных коэффициентов поглощения от частоты и интенсивности сильно отличается от зависимостей, известных ранее. Показано также, что обычная теория межзонного нелинейного поглощения, основанная на кинетических уравнениях для носителей, приводит к правильным результатам только в пределе малых интенсивностей накачки.
  1. M.N. Islam, E.P. Ippen, E.K. Burkhardt, T.J. Bridges. Appl. Phys. Lett., 47, 1042 (1985); J. Appl. Phys., 59, 2619 (1986)
  2. H.A. MacKenzie, D.J. Hagan, H.A. Al-Attar. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1328 (1986)
  3. J.P. Agraval. IEEE J. Quant. Electron., QE-23, 860 (1987)
  4. J.P. Agraval. Phys. Rev., 106, 1345 (1957)
  5. R. Frankenberger, R. Schrimpe. Appl. Phys. Lett., 57, 2520 (1990)
  6. J. Mark, J. M/-2mmork. Appl. Phys. Lett., 61, 2281 (1992)
  7. A. Uskov, J. M/-2mm ork, J. Mark. IEEE J. Quant. Electron., 30, 1769 (1994)
  8. A. D'Ottavi, E. Iannone, A. Mecozzi, S. Scotti, P. Spano, R. Dall'Ara, G. Guecos, J. Eckner. Appl. Phys. Lett., 65, 2633 (1994)
  9. M. Willatzen, J. Mark, J. M/-2mmork, C.P. Seltzer. Appl. Phys. Lett., 64, 143 (1994)
  10. J. Zhou, N. Park, J.W. Dawson, K.J. Vahala, M.A. Newkirk, B.I. Miller. IEEE Photon. Technol. Lett., 6, 50 (1994)
  11. A. D'Ottavi, A. Mecozzi, S. Scotti, F. Cara Romeo, F. Martelli, P. Spano, R. Dall'Ara, J. Eckner, G. Guekos. Appl. Phys. Lett., 67, 2753 (1995)
  12. A. Grindt, A. Knorr, M. Hofmann, S.W. Koch. Appl. Phys. Lett., 66, 550 (1995)
  13. A. D'Ottavi, F. Martelli, P. Spano, A. Mecozzi, S. Scotti, R. Dall'Ara, J. Eckner, G. Guekos. Appl. Phys. Lett., 68, 2186 (1996)
  14. N.C. Kothari, D.J. Blumenthal. IEEE J. Quant. Electron., 32, 1810 (1996)
  15. J. M/-2mmork, A. Mecozzi, C. Hultgren. Appl. Phys. Lett., 68, 449 (1996)
  16. I. Kolchanov, S. Kindt, K. Peterman, S. Diez, R. Ludwig, R. Shnabel, H.G. Weber. IEEE J. Quant. Electron., 32, 712 (1996)
  17. H. Minassian, S. Avetissian. Phys. Rev. B, 34, 963 (1986)
  18. Ю.Л. Климонтович, Э.В. Погорелова. ЖЭТФ, 50 (3), 605 (1966)
  19. Д.А. Паршин, А.Р. Шабаев. ЖЭТФ, 92 (4), 1471 (1987)
  20. S. Adachi. Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds (John Wily \& Sons, 1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.