"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Туннельная спектроскопия атомов примесей в монокристаллической полупроводниковой матрице
Картавых А.В.1, Маслова Н.С.2, Панов В.И.2, Раков В.В.1, Савинов С.В.2
1Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Представлены результаты исследования атомов примесей, представляющих два важнейших класса (так называемые "мелкие" и "глубокие") в монокристаллической матрице полупроводников группы AIIIBV с целью определения возможностей и перспектив сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии для решения прикладных аналитических и технологических задач полупроводникового материаловедения.
  1. G. Binning, H. Roher, C. Gerber, E. Weibel. Phys. Rev. Lett., 50, 120 (1983)
  2. Н.С. Маслова, В.И. Панов. УФН, 157, 185 (1989)
  3. C.S. Jiang, T. Nakayama, M. Aono. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 1336 (1997)
  4. R.S. Goldman, R.M. Feenstra, B.G. Briner, M.L. O'Steen, R.J. Hauenstein. Appl. Phys. Lett., 69, 3698 (1996)
  5. C. Domke, Ph. Ebert, M. Heinrich, K. Urban. Phys. Rev. B, 54, 10 288 (1996)
  6. О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
  7. С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. Соединения AIIIBV. Справочник (М., Металлургия, 1984)
  8. S.I. Oreshkin, V.I. Panov, S.V. Savinov, A. Depuydt, C. Van Haesendonck. Instr. Exper. Techn., 40(4), 566 (1997)
  9. A. Depuydt, N.S. Maslova, V.I. Panov, V.V. Rakov, S.V. Savinov, C. Van Haesendonck. Appl. Phys. A, 66, S171 (1998)
  10. О. Маделунг. Физика твердого тела. Локализованные состояния (М., Мир, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.