"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высокоэффективные термоэлектрические материалы n-(Bi, Sb)2Te3 для температур ниже 200 K
Кутасов В.А.1, Лукьянова Л.Н.1, Константинов П.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Рассматривается возможность использования твердого раствора Bi2-xSbxTe3 n-типа в термоэлектрических охладителях при T<200 K. Показано, что в рассматриваемом материале, оптимизированном для указанной области температур, наблюдается ослабление температурной зависимости коэффициента термоэдс alpha и уменьшение теплопроводности кристаллической решетки kappaL по сравнению с традиционным твердым раствором n-Bi2Te3-ySey. Эти факторы и высокая подвижность носителей заряда mu0 приводят к возрастанию параметра beta~ ZT, где Z - термоэлектрическая эффективность.
  1. M.H. Ettenberg, W.A. Jesser, F.D. Rossi. Proc. XV Int. Conf. on Thermoelectrics, (Pasadena, CA, USA, 1996) p. 52
  2. A.I. Anukhin. Proc. XVI Int. Conf. on Thermoelectrics (Dresden, Germany, 1997) p. 159
  3. В.А. Кутасов, М.В. Ведерников, П.П. Константинов, Ю.И. Агеев, Г.Т. Алексеева, Л.Н. Лукьянова, Ю.И. Равич, М.И. Федоров. Письма ЖТФ, 18, 542 (1992)
  4. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 (М., Наука, 1972)
  5. W.M. Yim, F.D. Rossi. Sol. St. Electron., 15, 1121 (1972)
  6. В.А. Кутасов, Л.Г. Лукьянова. ФТТ, 26, 2501 (1984)
  7. В.А. Кутасов, Л.Г. Лукьянова. ФТТ, 28, 899 (1986)
  8. В.А. Кутасов, Л.Г. Лукьянова, П.П. Константинов. ФТТ, 41, 187 (1999)
  9. Г.Т. Алексеева, П.П. Константинов, В.А. Кутасов, Л.Г. Лукьянова, Т.Е. Свечникова, С.Н. Чижевская. ФТТ, 33, 3539 (1991)
  10. В.А. Кутасов, Л.Г. Лукьянова. ФТТ, 29, 2966 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.