"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках
Булярский С.В.1, Светухин В.В.1, Львов П.Е.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 25 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Методом минимизации свободной энергии реального кристалла проводится расчет сложных дефектов в полупроводниках. Рассматривается влияние электронной подсистемы на процесс растворения примеси. Проведено моделирование кривых солидуса с учетом парной ассоциации и кластеризации.
  1. В.И. Фистуль. Физика и химия полупроводников (М., Металлургия, 1995)
  2. В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
  3. С.В. Буляровский, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1997)
  4. C.V. Bulyarskii, V.P. Oleinikow. Phys. St. Sol. (b), 141, K7 (1987)
  5. C.V. Bulyarskii, V.P. Oleinikow. Phys. St. Sol. (b) 146, 439 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.