"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Уширение линии генерации в перестраиваемых током лазерах на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb/InAsSbP
Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Кубат Р.2, Цивиш С.2, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry, CAS, Prague 8, Czech Republic
Поступила в редакцию: 1 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.

Изучена токовая зависимость ширины линии излучения перестрaиваемых лазерных диодов на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP, работающих в спектральном диапазоне 3.3-3.4 мкм в интервале температур 50-80 K. Показано, что при небольших превышениях инжекционного тока I над пороговым значением Ith ширина линии излучения гиперболически зависит от разности I-Ith в соответствии с теориями Шавлова-Tаунса и Генри, учитывающими однородное распределение неравновесных носителей заряда по ширине волновода. При увеличении тока до (3-4)Ith линия перестает сужаться и начинает уширяться с ростом тока. Наблюдаемое уширение линии излучения объяснено наличием градиента концентрации неравновесных носителей заряда от середины к краям волновода и увеличением этого градиента с током в перестраиваемых лазерах при одновременном уменьшении длины волны излучения. Минимальная ширина линии генерации составляет 10-20 МГц.
  1. А.П. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34 (2), 115 (2000)
  2. А.П. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, С. Цивиш, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (12), 1469 (1999)
  3. В.Г. Аветисов, А.Н. Баранов, А.Н. Именков, А.И. Надеждинский, А.Н. Хуснутдинов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 16 (14), 66 (1990)
  4. A. Popov, V. Sherstnev, Yu. Yakovlev, S. Civish, Z. Zelinger. Spectrochem. Acta, pt A, 54, 821 (1998)
  5. A.G. Maki, J.S. Wells. Wavenumber Calibration Tables From Heterodine Frequency Measurements NIST Special Publication 821 (Washington, 1991)
  6. G. Gualachvili, K. Narahari Rao. Handbook of Infrared Standards 11 with Spectral Coverage of 1.4- 4 mu m and 6.2-7.7 mu m (Academic Press, 1993).)
  7. A.L. Schawlow, C.H. Townes. Phys. Rev., 112, 1940 (1958)
  8. C.H. Henry. IEEE J. Quant. Electron, QE-18, 259 (1984)
  9. Ч. Генри. В кн.: Полупроводниковые инжекционные лазеры. Динамика, модуляция, спектры, под ред. У. Тсанга (М., Радио и связь, 1990) гл. 3, с. 172
  10. D. Welford, A. Mooradian. Appl Phys. Lett., 40, 560 (1982)
  11. А.П. Данилова, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 1088 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.