Вышедшие номера
Уширение линии генерации в перестраиваемых током лазерах на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb/InAsSbP
Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Кубат Р.2, Цивиш С.2, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry, CAS, Prague 8, Czech Republic
Поступила в редакцию: 1 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.

Изучена токовая зависимость ширины линии излучения перестрaиваемых лазерных диодов на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP, работающих в спектральном диапазоне 3.3-3.4 мкм в интервале температур 50-80 K. Показано, что при небольших превышениях инжекционного тока I над пороговым значением Ith ширина линии излучения гиперболически зависит от разности I-Ith в соответствии с теориями Шавлова-Tаунса и Генри, учитывающими однородное распределение неравновесных носителей заряда по ширине волновода. При увеличении тока до (3-4)Ith линия перестает сужаться и начинает уширяться с ростом тока. Наблюдаемое уширение линии излучения объяснено наличием градиента концентрации неравновесных носителей заряда от середины к краям волновода и увеличением этого градиента с током в перестраиваемых лазерах при одновременном уменьшении длины волны излучения. Минимальная ширина линии генерации составляет 10-20 МГц.