Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Длинноволновые светодиоды (lambda=3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb / InAs, выращенных методом газофазной эпитаксии

Зотова Н.В.¹, Кижаев С.С.¹, Молчанов С.С.¹, Попова Т.Б.¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 мая 2000 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений выращены гетероструктуры InAs / InAs_0.93Sb_0.07 / InAs в реакторе горизонтального типа при атмосферном давлении. На основе выращенных структур изготовлены светодиоды, работающие на длинах волн lambda=3.45 мкм (T=77 K), lambda=3.95 мкм (T=300 K). Квантовая эффективность светодиодов при комнатной температуре составила 0.12%.

А. Попов, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23, 828 (1997)
B. Matveev, N. Zotova, S. Karandashov, M. Remennyi, N. Il'inskaya, N. Stus', V. Shustov, G. Talalakin, J. Malinen. IEE Proc. Optoelectron., 145 (5), 254 (1998)
Y. Mao, A. Krier. Electron. Lett., 32 (5), 479 (1996)
W. Dobbelaere, J. De Boeck, C. Bruynseraede, R. Martens, G. Borghs. Electron. Lett., 29 (10), 890 (1993)
C. Philips, H. Hardway, J. Heber, P. Moeck, M. Pullin, P. Tang, P. Yuen. Proc. of the SPIE, Int. Soc. Opt. Engin., 3279, 154 (1998)
R. Biefeld, A. Allerman, S. Kurtz, K. Baucom. J. Cryst. Growth, 195, 356 (1999)
A. Stein, D. Putjer, A. Behres, K. Heime. IEE Proc. Optoelectron., 145 (5), 257 (1998)
S. Haywood, A. Henriques, N. Mason, R. Nicholas, P. Walker. Semicond. Sci. Technol., 3, 315 (1988)
S. Haywood, A. Henriques, N. Mason, R. Nicholas, P. Walker. J. Cryst. Growth, 93, 56 (1988)
Т.И. Воронина, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (10), 1168 (1999)
S. Adachi. J. Appl. Phys., 61 (10), 4869 (1987)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975)
О.А. Аллаберенов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуймина. ФТП, 4 (10), 1939 (1970)
Н.В. Зотова, Н.П. Есина, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин, Т.Д. Абишев. Письма ЖТФ, 9 (7), 391 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель