"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантово-размерных лазерах на основе InGaAsP / InP
Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Скрынников Г.В.1, Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1, Фeтисова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.

С целью достижения максимальных значений внутреннего квантового выхода и выходной оптической мощности проведена оптимизация квантово-размерных лазерных гетероструктур InGaAsP / InP различных конструкций, излучающих в диапазоне длин волн 1.26-1.55 мкм. Экспериментально показано, что наибольший квантовый выход стимулированного излучения имеют гетеролазеры на базе лазерной структуры с расширенным трехступенчатым волноводом. В гетероструктурах предложенной конструкции обнаружено уменьшение выброса электронов из активной области в волновод. В лазерных диодах с шириной меза-полоска 100 мкм была получена мощность оптического излучения 4.2 Вт в непрерывном режиме генерации; квантовый выход составлял 85% при внутренних оптических потерях 3.6 см-1.
  1. W.T. Tsang, F.S. Choa, M.C. Wu, Y.K. Chen, A.M. Sergent, P.F. Sciortino. Appl. Phys. Lett., 58, 2610 (1991)
  2. T. Yamamoto, H. Nobuhara, K. Tanaka, T. Odagava, M. Sugavara, T. Fujii, K. Wakao. IEEE J. Quant. Electron., QE29, 1560 (1993)
  3. J.S. Osinski, P. Grodzinski, Y. Zou, P.D. Dapkus, Z. Karim, A.R. Tanguay. IEEE Photon. Technol. Lett., 4, 23 (1992)
  4. A. Kasukava, I.J. Murgatroyd, I. Imadjo, N. Matsumoto, T. Fukuchima, H. Okamoto, S. Kashiwa. J. Appl. Phys., 28, L661 (1989)
  5. A. Kasukava, T. Namegaya, N. Iwai, N. Ymanaka, Y. Ikegami, N. Tsukiji. IEEE Photon. Technol. Lett., 6, 15 (1994)
  6. H. Sugiura, Y. Noguchi, R. Iga, T. Yamada, H. Kamada, Y. Sakai, H. Yasaka. Appl. Phys. Lett., 61, 318 (1992)
  7. T. Kunii, Y. Matsui, I. Katoh, T. Kamidjoh. Electron. Lett., 31, 282 (1995)
  8. D.Z. Garbuzov, L. Xu, S.R. Forest, R. Menna, R. Martinelli, J.C. Conolly. Electron. Lett., 32, 1717 (1996)
  9. J. Wang, B. Smith, X. Xie, X. Wang, G.T. Burnhame. Appl. Phys. Lett., 74, 1525 (1998)
  10. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34, 129 (2000)
  11. M.R. Gokhal, J.C. Dries, P.V. Studenkov, S.R. Forest, D. Garbuzov. IEEE J. Quant. Electron., QE33, 2266 (1997)
  12. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Н.Ю. Давидюк, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26, 5 (2000)
  13. Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 929 (1991)
  14. S.L. Chuang. Phys. Rev. B, 43, 9649 (1991)
  15. S. Adachi. Physical Properties of III--V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
  16. Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, М.А. Иванов. ФТП, 28, 1983 (1994)
  17. Л.С. Вавилова, А.В. Иванова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов, И.Н. Арсентьев, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Пихтин, Н.Н. Фалеев. ФТП, 32, 658 (1998)
  18. X. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
  19. M. Silver, E.P. O'Reilly. IEEE J. Quant. Electron., QE30, 547 (1994)
  20. З.Н. Соколова, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря. ФТП, 33, 1105 (1999)
  21. П.Г. Елисеев, И.В. Акимова. ФТП, 32, 472 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.