Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 3 » Статья стр. 359
<<<>>>
Классификация электрических свойств пористого кремния
Зимин С.П.1
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
PDF версия
На основе различий в структуре пористого кремния и в процессах формирования в нем областей, обедненных носителями тока, проведена классификация электрических свойств пористого материала. Показано, что пористый кремний может быть поделен на 4 группы, каждая из которых обладает своим набором отличительных черт. Для каждой группы описаны наиболее вероятные свойства переходов металл/<пористый кремний> и <пористый кремний>/<монокристаллический кремний>. Показано, что многообразие электрических свойств пористого кремния и его контактов с металлическим электродом и кремниевой подложкой приводят к экспериментально наблюдаемому широкому набору характеристик многослойных структур с пористыми слоями.
  1. Mater. Int. Conf. "Porous Semiconductors --- Science and Technology" (Mallorca, Spain, 1998)
  2. T. Unagami. J. Electrochem. Soc., 127, 476 (1980)
  3. Д.И. Биленко, Н.П. Абаньшин, Ю.Н. Галишникова, Г.Е. Маркелова, И.Б. Мысенко, Е.И. Хасина. ФТП, 17, 2090 (1983)
  4. M.I.J. Beale, J.D. Benjamin, M.J. Uren, N.G. Chew, A.G. Cullis. J. Cryst. Growth, 73, 622 (1985)
  5. R.C. Anderson, R.S. Muller, C.W. Tobias. J. Electrochem. Soc., 138, 3406 (1991)
  6. A.J. Read, R.J. Needs, K.J. Nash, L.T. Canham, P.D.J. Calcott, A. Qteish. Phys. Rev. Lett., 69, 1232 (1992)
  7. R.Tsu, D. Babic. Appl. Phys. Lett., 64, 1806 (1994)
  8. V. Lehmann, F. Hofmann, F. Muller, U. Gruning. Thin Sol. Films, 255, 20 (1995)
  9. A. Richter, P. Steiner, F. Kozlowsky, W. Lang. IEEE Electron. Dev. Lett., 12, 691 (1991)
  10. Properties of porous silicon, N 18, ed. by L. Canham (Malvern, DERA, 1997)
  11. Л.А. Балагуров. Материаловедение, N 1, 50 (1998); Л.А. Балагуров. Материаловедение, N 3, 23 (1998)
  12. M. Ben-Chorin, F. Muller, F. Koch, W. Scirmacher, M. Eberhard. Phys. Rev., 51, 2199 (1995)
  13. A.J. Simons, T.I. Cox, M.J. Uren, P.D.J. Calcott. Thin Sol. Films, 255, 12 (1995)
  14. C. Peng, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. J. Appl. Phys., 80, 295 (1996)
  15. Н.С. Аверкиев, А.Я. Шик. ФТП, 30, 199 (1996)
  16. Н.С. Аверкиев, Л.М. Капитонова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Н.Н. Смирнова, А.Я. Шик. ФТП, 30, 2178 (1996)
  17. В.Ю. Тимошенко, Е.А. Константинова, Е. Дитрих. ФТП, 32, 613 (1998)
  18. С.П. Зимин. Письма ЖТФ, 21(24), 46 (1995)
  19. C. Cadet, D. Deresmes, D. Vuillaume, D. Stievenard. Appl. Phys. Lett., 64, 2827 (1994)
  20. С.П. Зимин, Е.П. Комаров. Письма ЖТФ, 24(6), 45 (1998)
  21. С.П. Зимин, А.Н. Брагин. ФТП, 33, 476 (1999)
  22. С.П. Зимин. Письма ЖТФ, 20(7), 55 (1994)
  23. E.A. Ponomarev, P. Cowache, C. Levy-Clement. Mater. Int. Conf. "Porous Semiconductors --- Science and Technology" (Mallorca, Spain, 1998) p. 23
  24. А.Л. Винке, С.П. Зимин, В.Н. Палашов. Патент РФ 2054746 (1996), приоритет 13.01.93
  25. F.P. Romstad, E. Veje. Phys. Rev. B, 55, 5220 (1997)
  26. W.H. Lee, C. Lee, J. Lang. J. Non-Cryst. Sol., 198, 911 (1996)
  27. Y. Libianiker, I. Balberg, J. Partee, J. Shinar. J. Non-Cryst. Sol., 198, 949 (1996)
  28. Y. Libianiker, I. Balberg. Phys. Rev. Lett., 78, 2433 (1997)
  29. С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу, М.М. Мередов, А.И. Язлыева. ФТП, 31, 15 (1997)
  30. Л.В. Беляков, Т.Л. Макарова, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, О.М. Сресели. ФТП, 32, 1122 (1998)
  31. С.П. Зимин, Е.П. Комаров. Изв. вузов. Электроника, вып. 3, 48 (1998)
  32. В.М. Демидович, Г.Б. Демидович, С.Н. Козлов, А.А. Петров. Письма ЖТФ, 24(2), 17 (1998)
  33. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982). [Пер. с англ.: E.H. Rhoderick. Metal--semiconductors contacts (Clarendon Press, Oxford, 1978)]
  34. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Toronto--Singapore, Willey--Interscience Publ., 1981)]
  35. S.P. Zimin, V.S. Kuznetsov, A.V. Prokaznikov. Appl. Surf. Sci., 91, 355 (1995)
  36. В.В. Чистяков, С.П. Зимин, А.Л. Винке. Патент РФ 2065226 (1996), приоритет 27.07.93
  37. N.J. Pulsford, G.L.J.A. Rikken, Y.A.R.R. Kessener, E.J. Lous, A.N.J. Venhuizen. J. Luminecs., 57, 181 (1993)
  38. M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. J. Appl. Phys., 77, 4482 (1995)
  39. D.V. Dimitrov. Phys. Rev., 51, 1562 (1995)
  40. P.H. Hao, X.Y. Hou, F.L. Zhahg, Xun Wang. Appl. Phys. Lett., 64, 3602 (1994)
  41. D. Dimova-Malinovska, M. Tzolov, N. Tzenov, D. Nesheva. Thin Sol. Films, 297, 285 (1997)
  42. Th. Dittrich, J. Rappich, V.Yu. Timoshenko. Appl. Phys. Lett., 70, 2705 (1997)
  43. L.A. Balagurov, D.G. Yarkin, G. A. Petrovicheva, E.A. Petrova, A.F. Orlov, S.Ya. Andryushin. J. Appl. Phys., 82, 4647 (1997)
  44. Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. ФТП, 33, 327 (1999)
  45. M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. Phys. Rev. B, 49, 2981 (1994)
  46. С.П. Зимин, Е.П. Комаров, Ю.В. Рябкин. Изв. вузов. Электроника (1999) (в печати).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme