Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Трансформирование неупорядоченной структурной сетки пленок аморфного гидрированного кремния при легировании бором

Мездрогина М.М.¹, Пацекин А.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 мая 1999 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

PDF версия

Исследовано влияние технологических параметров осаждения, чистоты и относительной концентрации диборана, температуры подложки на электрофизические параметры пленок a-Si : H<B>, полученных методом высокочастотного разложения газовой смеси в многоэлектродной системе. Предполагается одновременное существование механизмов легирования и модифицирования при введении бора из диборана в процессе осаждения пленок a-Si : H<B>.

P.G. Le Comber, W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 35--36, 327 (1980)
О.А. Голикова, У.С. Бабаходжаев, В.В. Дубро, Р.Г. Икрамов, М.М. Казанин, М.М. Мездрогина, Р.Р. Яфаев. ФТП, 26, 66 (1992)
М.М. Мездрогина, О.А. Голикова, М.М. Казанин, И.Р. Икрамов. ЖТФ, 62, 108 (1992)
М.М. Мездрогина, А.В. Абрамов, Г.Н. Мосина, А.В. Пацекин. ФТП, 23, 555 (1998)
А.Р. Регель, П.П. Серегин, М.М. Мездрогина, Ф.С. Насрединов, М.С. Аблова, У.Ж. Абдумаюмов. ФТП, 22, 161 (1988)
М.М. Мездрогина, А.Ф. Бардамид, О.А. Голикова, М.М. Казанин, В.Х. Кудоярова, К.Л. Сорокина. Неорг. матер., 26, 1809 (1990)
М.М. Мездрогина, О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова, М.М. Казанин. Неорг. матер., 26, 455 (1990)
А.Г. Казанский, Е.П. Милигович, Р.А. Уразбаева. ФТП, 24, 1143 (1990)
S.C. Shen, M. Cardona. Phys Rev. B, 23, 5322 (1981)
W.C. Price. J. Chem. Phys., 16, 894 (1948)
I. Freund, R.S. Halford. J. Chem. Phys., 43, 3795 (1965)
G. Lucovski. Solar Cells, 2, 431 (1980)
W.A. Pliskin, H.S. Lehman. J. Electrochem. Soc., 112, 1013 (1965)
Abstract MRS, San Francisco, California, April 13--17, 1998, p. 13
Е.В. Хамакава. В кн.: Современные проблемы в полупроводниковой фотоэнергетике (М., Мир, 1988) с. 139

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель