Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности поглощения в наноструктурах a-Si / ZrO_x

Хохлов А.Ф.¹, Чучмай И.А.¹, Ершов А.В.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 7 октября 1999 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

PDF версия

Исследовано поведение спектров коэффициента поглощения alpha(homega) в области края фундаментального поглощения многослойных наноструктур a-Si / ZrO_x, полученных испарением, при уменьшении толщины слоев аморфного кремния от 10 до 3 нм. Число периодов структур составляло от 7 до 14. Периодичность контролировалась методами малоугловой рентгеновской дифракции и сканирующей зондовой микроскопии. Обнаружены участки линейной зависимости alphahomega=f(homega) в спектрах коэффициента поглощения alpha(homega) и увеличение эффективной оптической щели при толщине слоев a-Si =<5 нм. Результат интерпретирован как проявление эффекта размерного квантования.

J.P. Conde, V. Chu, D.S. Shen, S. Wagner. J. Appl. Phys., 75, 1638 (1994)
Е.А. Виноградов, А.В. Заяц, Ф.А. Пудонин. ФТТ, 33, 197 (1991)
А.Ф. Хохлов, А.В. Ершов, А.И. Машин, Ю.А. Мордвинова, Н.И. Машин. ФТП, 20, 1288 (1986)
Д.Э. Форсайт, М.А. Малькольм, К.Б. Моулер. Машинные методы математических вычислений (М., Мир, 1980) [Пер. с англ.: G.E. Forsythe, M.A. Malcolm, C.B. Moler. Computer Methods for Mathematical Computations (Englewood Cliffs, N. J., 1977)]
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)]
К. Хаттори, Т. Морри, Х. Окамото, Й. Хамакава. В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. Х. Фрицше (М., Мир, 1991) с. 443. [Пер. с англ.: Amorphous Silicon and Related Materials, ed by H. Fritzsche (Singapore--N. Y.--London--Hong Kong, World Scientific, 1989)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель