"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Переменный пространственный заряд и неоднозначность квантовых состояний в двухбарьерных структурах
Пашковский А.Б.1
1Государственное научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 11 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

На основе суммирования ряда теории возмущений получено решение нестационарных самосогласованных уравнений Шредингера и Пуассона, описывающих резонансное взаимодействие электронов, туннелирующих через несимметричные двухбарьерные структуры, с высокочастотным электрическим полем. В случае однородного в пределах ширины квазиуровня распределения электронов по энергии решение находится аналитически, а в случае моноэнергетического пучка сводится к нахождению корней алгебраического полинома пятой степени. Показано, что в ряде случаев влияние переменного пространственного заряда приводит к совершенно новому для данных систем эффекту: одной и той же амплитуде высокочастотного напряжения, приложенного к структуре, может соответствовать несколько разных волновых функций электронов и, как следствие, отличающихся в несколько раз значений высокочастотной проводимости, коэффициентов прохождения и отражения. В результате в таких структурах может наблюдаться неустойчивость протекания тока и гестерезис вольт-амперных характеристик. При этом зависимости коэффициентов прохождения, отражения электронов и высокочастотной проводимости от амплитуды напряжения в случае однородного распределения электронов представляют комбинацию N- и S-образных характеристик, а в случае моноэнергетического пучка носят петлеобразный характер.
  1. M. Buttiker, R. Landauer. Phys. Rev. Lett., 49 (23), 1739 (1982)
  2. W.R. Frensley. Superlatt. Microstr., 4 (4/5), 497 (1988)
  3. L.Y. Chen, C.S. Ting. Phys. Rev. B, 43 (3), 2097 (1991)
  4. M.J. Hagman. J. Appl. Phys., 78 (1), 25 (1995)
  5. А.Б. Пашковский. ЖЭТФ, 109 (5), 1779 (1996)
  6. В.Ф. Елесин. ЖЭТФ, 112 (8), 483 (1997)
  7. J. Faist, F. Capasso, C. Sirtori, D.L. Sivko, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 64 (9), 1144 (1994)
  8. C. Sirtori, J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivko, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 68 (13), 1745 (1996)
  9. А.Б. Пашковский. Письма ЖЭТФ, 64 (12), 829 (1996)
  10. Е.И. Голант, А.Б. Пашковский. Письма ЖЭТФ, 63 (7), 559 (1996)
  11. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, А.Г. Миронов. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках (М., Наука, 1972) с. 20
  12. Ю.К. Пожела. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках (М., Наука, 1977) с. 153
  13. Дж. Кэррол СВЧ генераторы на горячих электронах (М., Мир, 1972) с. 75
  14. R.E. Kunz, E. Scholl. Phys Rev. B, 47, 4337 (1993)
  15. Z. Iconic, V. Milanovic. IEEE J. Quant. Electron., 31, 1517 (1995)
  16. Е.И. Голант, А.Б. Пашковский, А.С. Тагер. Письма ЖТФ, 20 (21), 74 (1994)
  17. Е.И. Голант, А.Б. Пашковский. ЖЭТФ, 112 (7), 237 (1997)
  18. Е.И. Голант, А.Б. Пашковский. ФТП, 31 (9), 1077 (1997)
  19. В.М. Галицкий, Б.М. Карнаков, В.И. Коган. Задачи по квантовой механике (М., Наука, 1981) с. 172

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.