Токи, ограниченные пространственным зарядом, в синтетическом полупроводниковом алмазе
Детчуев Ю.А.1, Крячков В.А.1, Пель Э.Г.2, Санжарлинский Н.Г.1
1Всесоюзный научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья, Александров, Россия
2Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.
Исследованы электрические свойства монокристаллов синтетического полупроводникового алмаза p- и n-типа проводимости с примесями B и As. Методами токов, ограниченных пространственным зарядом, обнаружены связанные с присутствием As моноэнергетические ловушки носителей заряда, а также ловушки с экспоненциальным распределением плотности состояний по энергии. Показана возможность использования кристаллов синтетического полупроводникового алмаза для регистрации alpha-излучения и в качестве термосенсоров.
- В.К. Баженов, М.М. Викулин, А.Г. Гонтарь. ФТП, 19, 1345 (1985)
- В.Е. Хаджи, Л.М. Штеренлихт, М.И. Самойлович. В сб.: Синтез минералов (М., Изд-во Недра, 1989) т. 1, с. 481
- Н.В. Новиков, А.Г. Гонтарь. В сб.: Алмазы в электронной технике (М., Энергоатомиздат, 1990) с. 57
- В.А. Лаптев, В.А. Крячков, С.А. Мартынов. Электрон. техн., сер. 5, N 3, 18 (1989)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Изд-во Наука, 1979)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- P.I. Reucroft, F.D. Mullins. J. Phys. Chem. Sol., 35, 347 (1974)
- С.М. Ротнер, Ю.М. Ротнер, Г.В. Крищук, Э.М. Храковская, Н.С. Степанова, В.А. Лаптев. ФТП, 17, 198 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
