Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Токи, ограниченные пространственным зарядом, в синтетическом полупроводниковом алмазе

Детчуев Ю.А.¹, Крячков В.А.¹, Пель Э.Г.², Санжарлинский Н.Г.¹

¹Всесоюзный научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья, Александров, Россия
²Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия Institute for High Pressure Physics, Russian Academy of Sciences, Troitsk, Moscow, Russia

Institute for High Pressure Physics, Russian Academy of Sciences, Troitsk, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 21 февраля 2000 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические свойства монокристаллов синтетического полупроводникового алмаза p- и n-типа проводимости с примесями B и As. Методами токов, ограниченных пространственным зарядом, обнаружены связанные с присутствием As моноэнергетические ловушки носителей заряда, а также ловушки с экспоненциальным распределением плотности состояний по энергии. Показана возможность использования кристаллов синтетического полупроводникового алмаза для регистрации alpha-излучения и в качестве термосенсоров.

В.К. Баженов, М.М. Викулин, А.Г. Гонтарь. ФТП, 19, 1345 (1985)
В.Е. Хаджи, Л.М. Штеренлихт, М.И. Самойлович. В сб.: Синтез минералов (М., Изд-во Недра, 1989) т. 1, с. 481
Н.В. Новиков, А.Г. Гонтарь. В сб.: Алмазы в электронной технике (М., Энергоатомиздат, 1990) с. 57
В.А. Лаптев, В.А. Крячков, С.А. Мартынов. Электрон. техн., сер. 5, N 3, 18 (1989)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Изд-во Наука, 1979)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
P.I. Reucroft, F.D. Mullins. J. Phys. Chem. Sol., 35, 347 (1974)
С.М. Ротнер, Ю.М. Ротнер, Г.В. Крищук, Э.М. Храковская, Н.С. Степанова, В.А. Лаптев. ФТП, 17, 198 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель