"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Проверка применимости модели моновалентного дефекта для описания свойств комплекса вакансия--кислород в кремнии
Макаренко Л.Ф.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 9 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Исследованы температурные зависимости концентрации носителей заряда в кристаллах кремния n-типа проводимости, выращенных по методу Чохральского и облученных гамма-квантами 60Co. Проведен анализ применимости модели моновалентного дефекта с уровнем вблизи Ec-0.17 эВ для описания свойств A-центра в кристаллах n-Si. Показано, что модель не согласуется с имеющимися экспериментальными данными. Высказано предположение, что A-центр имеет в верхней половине запрещенной зоны два уровня: акцепторный вблизи Ec-0.16 эВ и донорный вблизи Ec-0.20 эВ. Это предположение согласуется с данными, полученными с использованием магнитно-спектроскопических методов.
  1. G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 121, 1001 (1961)
  2. А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. ФТП, 25, 1332 (1991)
  3. С.М. Дикман. ФТП, 26, 1427 (1992)
  4. G.K. Wertheim. Phys. Rev., 106, 1272 (1958)
  5. E. Sonder, L.C. Templeton. J. Appl. Phys., 31, 1279 (1960)
  6. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1980) с. 95
  7. C.A. Londos. Phys. St. Sol. (a), 113, 503 (1989)
  8. Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 27, 1113 (1993)
  9. B.A. Komarov, V.I. Sopryakov. Phys. St. Sol. (a), 66, 783 (1981)
  10. K. Irmsher, H. Klose, K. Maas. Phys. St. Sol. (a), 75, K25 (1983)
  11. H.J. Stein, F.L. Vook. Phys. Rev., 163, 790 (1967)
  12. L.C. Kimerling. Radiation Defects in Semicond., ed. by N.B. Urli and J.W. Corbett (Inst. of Physics and Phys. Soc., London, 1977) p. 221
  13. S.D. Brotherton, P.J. Bradley. J. Appl. Phys., 53, 5720 (1982)
  14. Л.С. Берман, В.Б. Воронков, А.Д. Ременюк, М.Г. Толстобров. ФТП, 21, 140 (1987)
  15. J.W. Corbett, G.D. Watkins. Phys. Rev. A, 135, 1381 (1964)
  16. B.G. Svensson, J.L. Lindstrom. Phys. Rev., B, 34, 8709 (1986)
  17. H-J. Hoffmann. Appl. Phys., 19, 307 (1979)
  18. Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 19, 1935 (1985)
  19. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) гл. 5
  20. J.A. Van Vechten, C.D. Thurmond. Phys. Rev. B, 14, 3559 (1976)
  21. Л.Ф. Макаренко. Докл. АН Беларуси, 40 (4), 59 (1996)
  22. Н.А. Витовский, Т.В. Машовец, С.М. Рывкин. ФТТ, 4, 2845 (1962)
  23. G.D. Watkins, J.W. Corbett, R.M. Walker. J. Appl. Phys., 30, 1198 (1959)
  24. J.M. Trombetta, G.D. Watkins. Appl. Phys. Lett., 51, 1103 (1987)
  25. L.I. Murin. Phys. St. Sol. (a), 101, K107 (1987)
  26. A.M. Frens, M.T. Bennebroek, A. Zakrzewski, J. Schmidt, W.M. Chen, E. Janzen, J.L. Lindstrom, B. Monemar. Phys. Rev. Lett., 72, 2939 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.