Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Захват горячих электронов на отрицательно заряженные центры в приближении квазиупругого рассеяния

Качлишвили З.С.¹, Метревели Н.К.¹

¹Тбилисский государственный университет (Факультет физики), Тбилиси, Грузия

Поступила в редакцию: 23 февраля 2000 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

PDF версия

Явно вычислен коэффициент захвата на отталкивающих кулоновских центрах в приближении квазиупругого рассеяния в скрещенных сильном электрическом и магнитном полях. Учтено, что вероятность захвата наряду с зоммерфельдовским множителем должна экспоненциально зависеть от энергии протуннелировавшего сквозь барьер электрона. Определено критическое электрическое поле в зависимости от магнитного поля и механизмов рассеяния, выше которого необходим учет указанной экспоненты. Для полей ниже критического справедлива аппроксимация Бонч-Бруевича.

В.Л. Бонч-Бруевич. ФТТ, 6, 2047 (1964)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. ФТТ, 7, 750 (1965)
В.Л. Бонч-Бруевич, З.С. Качлишвили. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, 5, 580 (1974)
Х.З. Качлишвили, А.Г. Миронов. Тр. Тбилис. гос. ун-та, 291, 37 (1989)
В.Н. Абакумов, В. Карпус, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 22, 262 (1988)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во СПб. ин-та ядерной физики РАН, 1997) с. 140
З.С. Качлишвили, Х.З. Качлишвили, Ф.Г. Чумбуридзе. ФТП, 31, 204 (1997)
З.С. Качлишвили, Х.З. Качлишвили, Ф.Г. Чумбуридзе. ФТП, 31, 944 (1997)
Z.S. Kachlishvili. Phys. St. Sol. (a), 33, 15 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель