"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оценка перемешивания состава в окрестности границ гетероэпитаксиальных структур Si(Ge) / Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярнo-пучковой эпитаксии с комбинированными источниками Si и GeH4
Орлов Л.К.1, Ивина Н.Л.1, Потапов А.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 21 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Рассмотрены основные причины диффузионного расплывания состава твердого раствора в окрестности границ Si транспортного канала в гетероструктуре Si / Si1-xGex, выращиваемой комбинированным методом молекулярно-пучковой эпитаксии с твердофазным (Si) и газофазным (GeH4) источниками. Для выращенных структур проведено сопоставление роли различных механизмов в формировании профиля металлургической границы слоя и оценено влияние расплывания границ канала на величину подвижности двумерных электронов в нем.
  1. D.W. Greve. Mater. Sci. Eng. B, 18, 22 (1993)
  2. M.G. Mil'vidskii, V.I. Vdovin, L.K. Orlov, O.A. Kuznetsov, V.M. Vorotyntsev. Growth of Crystals, ed. by E.I. Givargizov, A.M. Melnikova (Consultants Bureau, N. Y.--London, 1996) v. 20, p. 13
  3. Л.К. Орлов, В.А. Толомасов, А.В. Потапов, В.И. Вдовин. Тр. 2-го Росс. симп. "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур", под ред. В.П. Гинкина (Обнинск, 1998) с. 288
  4. Л.К. Орлов, В.А. Толомасов, А.В. Потапов, В.И. Вдовин. Изв. вузов, сер. Материалы электронной техники (Изд-во МИСиС), 2, 30 (1998)
  5. В.А. Толомасов, Л.К. Орлов, С.П. Светлов, Р.А. Рубцова, А.Д. Гудкова, А.В. Корнаухов, А.В. Потапов, Ю.Н. Дроздов. Кристаллография, 43, 535 (1998)
  6. T. Karasava, Y. Kunii, M. Tabe. Japan. J. Appl. Phys., 32, 1039 (1993)
  7. А.В. Потапов. Автореф. канд. дис. (Нижний Новгород, ИФМ РАН, Ун-т им. Н.И. Лобачевского, 1999)
  8. Л.К. Орлов, А.В. Потапов, С.В. Ивин. ЖТФ, 70 (6), 102 (2000)
  9. L.K. Orlov, V.A. Tolomasov, A.V. Potapov, V.I. Vdovin, M.G. Mil'vidskii. Inst. Phys. Conf. Ser., 155, 205 (1997)
  10. A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Sol. Films, 336, 191 (1999)
  11. L.K. Orlov, A.V. Potapov. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures Review and Short Notes to Nanomeeting' 97 (Minsk, Belarus) (Word Scietiific, Singapure, 1997) p. 68
  12. L.K. Orlov, A.V. Potapov, S.V. Ivin. Sol. St. Phenomena, 69--70, 221 (1999)
  13. Л.К. Орлов, А.В. Потапов, Р.А. Рубцова, Н.Л. Орлова. Изв. РАН. Сер. физ., 53, 267 (1999)
  14. B. Cunningham, J.O. Chu, S. Akbar. Appl. Phys. Lett., 59, 3574 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.