"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства соединения Ca4Ga2S7 : Eu 2+
Тагиев Б.Г.1, Касумов У.Ф.1, Мусаева Н.Н.1, Джаббаров Р.Б.1, Абушов А.С.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 22 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

В результате оптических измерений в монокристалле Ca4Ga2S7 : Eu2+ определен характер оптических переходов в интервале энергий фотонов 1.85--3.00 эВ в области температур 77--300 K. Установлено, что в интервалах энергий 2.2--2.6 и 2.6--3.0 эВ имеют место непрямые и прямые оптические переходы с шириной запрещенной зоны соответственно Egi=1.889 эВ и Egd=2.455 эВ при 300 K. Температурные коэффициенты Egi и Egd равны -5.15· 10-4 и -14.86· 10-4 эВ/K.
  1. Б.Г. Тагиев, А.Н. Георгобиани, Р.Б. Джаббаров, У.Ф. Касумов, Н.Н. Мусаева. Новые технологии --- 21 век, N 2, 58 (1999)
  2. Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева, У.Ф. Касумов. Неорг. матер., 36, 3 (2000)
  3. Seishi Iida, Tamao Matsumoto, N.T. Mamedov, Gyejong An, Yosuke Maruyama, A.I. Bairamov, B.G. Tagiev, R.B. Dzhabbarov. Japan. J. Appl. Phys., 36, pt. 2, L857 (1997)
  4. C. Jullien, M. Eddrief, K. Kambas, M. Balkanski. Thin. Sol. Films, 137, 27 (1986)
  5. E. Cuerrero, M. Quinterro, J.C. Wolley. J. Phys.: Condens. Matter, 2, 6119 (1990)
  6. A.M. Elkorashy. Phys. St. Sol. (b), 135, 707 (1986)
  7. S. Saha, U. Pal, A.K. Chaudhuri, V.V. Rao, H.D. Banerjee. Phys. St. Sol. (a), 114, 721 (1989)
  8. Арант, Шимизо, К. Кудо. Тр. IX межд. конф. по физике полупроводников (Л., Наука, 1969) с. 172
  9. Н.С. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.