Исследуются свойства точно компенсированных полупроводников и сообщается об эффекте резкого роста сопротивления на несколько порядков с ростом концентрации глубоких примесей. Показано, что аномальный рост времени жизни, фотопроводимости и удельного темнового сопротивления являются родственными эффектами. Показано, что полупроводник при этом становится чувствительным к изменениям температуры, интенсивности освещения в области зона-зонного и примесного поглощения, но эти эффекты инерционны. Максимальное значение времени жизни определяется зона-зонной оже-рекомбинацией, для которой предложено эмпирическое выражение. Приводится объяснение причины возникновения названных эффектов в рамках теории рекомбинации Шокли-Рида-Холла на примере кремния, легированного индием. Показано, что степень компенсации полупроводника можно определить из температурной зависимости равновесной концентрации носителей заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.