"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства точно компенсированных полупроводников
Каражанов С.Ж.1
1Физико-технический институт, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 5 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Исследуются свойства точно компенсированных полупроводников и сообщается об эффекте резкого роста сопротивления на несколько порядков с ростом концентрации глубоких примесей. Показано, что аномальный рост времени жизни, фотопроводимости и удельного темнового сопротивления являются родственными эффектами. Показано, что полупроводник при этом становится чувствительным к изменениям температуры, интенсивности освещения в области зона-зонного и примесного поглощения, но эти эффекты инерционны. Максимальное значение времени жизни определяется зона-зонной оже-рекомбинацией, для которой предложено эмпирическое выражение. Приводится объяснение причины возникновения названных эффектов в рамках теории рекомбинации Шокли--Рида--Холла на примере кремния, легированного индием. Показано, что степень компенсации полупроводника можно определить из температурной зависимости равновесной концентрации носителей заряда.
  1. А.А. Другова, В.А. Холоднов. Письма ЖТФ, 18, 23 (1992)
  2. В.А. Холоднов. ФТП, 30(6), 1011 (1996)
  3. A.A. Drugova, V.A. Kholodnov. Sol. St. Electron., 38(6), 1247 (1995)
  4. В.А. Холоднов, П.С. Серебренников. Письма ЖТФ, 23(7), 39 (1997)
  5. В.А. Холоднов. Письма ЖЭТФ, 67(9), 655 (1998)
  6. A.G. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (J. Wiley \& Sons, N. Y.--London--Sydney--Toronto, 1973)
  7. J.S. Blakemore, C.E. Sarver. Phys. Rev., 173, 767 (1968)
  8. G.K. Wertheim. Phys. Rev., 109, 1086 (1958)
  9. J.D. Arora, P.C. Mathur. J. Appl. Phys., 52(5), 3646 (1981)
  10. D.J. Roulston, N.D. Arora, S.C. Chamberlain. IEEE Trans. Electron. Dev., 29(2), 284 (1982)
  11. P.P. Altermatt, J. Schmidt, G. Heiser, A.G. Aberle. J. Appl. Phys., 82, 4938 (1997)
  12. К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергоатомиздат, 1985)
  13. А.Н. Марченко. Управляемые полупроводниковые резисторы (М., Энергия, 1978)
  14. M.J. Keevers, M.A. Green. J. Appl. Phys., 75(8), 4022 (1994)
  15. К.С. Аюпов, Н.Ф. Зикриллаев. ДАН РУз, N 8--9, 41 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.