"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства полупроводников с двойными дефектами
Каражанов С.Ж.1, Канаки Э.В.1
1Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 19 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Исследованы электрические свойства полупроводников с двойными дефектами. Показано, что время жизни электронов, удельное сопротивление и коэффициент Холла проявляют резко немонотонную зависимость от концентрации двойных дефектов. Предлагается механизм, объясняющий это явление, основанный на точной компенсации полупроводника. Показано, что при этом происходит резкое уменьшение суммы концентрации электронов и дырок и полупроводник становится чувствительным к внешним воздействиям, таким как интенсивность слабого освещения в области примесного и зона-зонного поглощения, температуры и др.
  1. А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979)
  2. Л.И. Бережинский, Ф.К. Джапарова, Н.В. Кицюк, В.Е. Родионов. УФЖ, 36, 513 (1992)
  3. В.В. Евстропов, И.Ю. Линков, И.В. Морозенко, Ф.П. Пикус. ФТП, 26, 969 (1992)
  4. В.А. Холоднов. ФТП, 30(6), 1011 (1996)
  5. A.A. Drugova, V.A. Kholodnov. Sol. St. Electron., 38(6), 1247 (1995)
  6. В.А. Холоднов. Письма ЖЭТФ, 67(9), 655 (1998)
  7. В.А. Холоднов, П.С. Серебренников. Письма ЖТФ, 23(7), 39 (1997)
  8. J.Y.W. Seto. J. Appl. Phys., 46(12), 5247 (1975)
  9. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  10. А.Н. Марченко. Управляемые полупроводниковые резисторы (М., Энергия, 1978)
  11. Ш.А. Мирсагатов, В.М. Рубинов, Ф.Н. Джамалов. Гелиотехника, N 2, 12 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.