Исследованы электрические свойства полупроводников с двойными дефектами. Показано, что время жизни электронов, удельное сопротивление и коэффициент Холла проявляют резко немонотонную зависимость от концентрации двойных дефектов. Предлагается механизм, объясняющий это явление, основанный на точной компенсации полупроводника. Показано, что при этом происходит резкое уменьшение суммы концентрации электронов и дырок и полупроводник становится чувствительным к внешним воздействиям, таким как интенсивность слабого освещения в области примесного и зона-зонного поглощения, температуры и др.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.