"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурные исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии нелегированного и легированного кремнием GaN, выращенного на подложке Al2O3
Черкашин Н.А.1, Берт Н.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Новиков С.В.1, Cheng T.S.2, Foxon C.T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, England, UK
Поступила в редакцию: 9 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Методы просвечивающей электронной микроскопии исследована микроструктура пленок GaN (0001), нелегированных и легированных кремнием с концентрациями 1017 см-3 и 1018 см-3, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Al2O3 (0001) без нитридизации и буферного слоя. Проведены исследования дефектных структур, включающих в себя инверсионные домены, полые трубки и дефекты упаковки в базовой плоскости (0001). Прослежено влияние легирования кремнием на плотность прорастающих дислокаций и размеры зерен GaN, ограниченных инверсионными доменами. Показано, что при концентрации легирующего кремния 1017 см-3 происходит сглаживание ступенчатого рельефа поверхности пленки GaN.
  1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matasushita, K. Kiyoku, Y. Sugimoto. Jpn. J. Appl. Phys., 35, L74 (1996)
  2. X.H. Wu, L.M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 80, 3228--3237 (1996)
  3. J.-L. Rouvier, M. Arlery, A. Bourret. Proc. Royal Micros. Soc. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 173
  4. D. Cherns, W.T. Young, M.A. Saunders, F.A. Pance, S. Nakamura. Proc. Royal Micros. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 187
  5. V. Potin, P. Ruterana, G. Nouet, A. Salvador, H. Morkoc. Proc. Royal Micros. Soc. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 191
  6. D.M. Tricker, M.K.H. Natusch, C.B. Boothroyd, Y. Xin, P.D. Brown, T.S. Cheng, C.T. Foxon, C.J. Humphreys. Proc. Royal Micros. Soc. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 217
  7. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, T. Suski, J.W. Ager III, J. Washburn, J. Krueger, C. Kisielowski, E.R. Weber, H. Amano, I. Akasaki, Appl. Phys. Lett., 69, 990 (1996)
  8. Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, J. Washburn. Phys. Rev. Lett., 79, 2835 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.