Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

High-performance InGaP/GaAs pnp delta-doped heterojunction bipolar transistor

Tsai Jung-Hui¹, Chiu Shao-Yen², Lour Wen-Shiung², Guo Der-Feng³

¹Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 802, TAIWAN
²Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, Keelung, Taiwan
³Department of Electronic Engineering, Air Force Academy, Kaohsiung, Taiwan

Поступила в редакцию: 15 октября 2008 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

In this article, a novel InGaP/GaAs pnp delta-doped heterojunction bipolar transistor is first demonstrated. Though the valence band discontinuity at InGaP/GaAs heterojunction is relatively large, the addition of a delta-doped sheet between two spacer layers at the emitter-base (E-B) junction effectively eliminates the potential spike and increases the confined barrier for electrons, simultaneously. Experimentally, a high current gain of 25 and a relatively low E-B offset voltage of 60 mV are achieved. The offset voltage is much smaller than the conventional InGaP/GaAs pnp HBT. The proposed device could be used for linear amplifiers and low-power complementary integrated circuit applications. PACS: 85.30.Pq, 73.40.Kp

C.T. Chuang, K. Chin. IEEE J. Sol. St. Circuits, 29, 836 (1994)
Y.T. Lin, S.S. Lu. IEEE Microw. Guided Wave Lett., 14, 463 (2004)
J.I. Song, C. Caneau, W.P. Hong, K.B. Chough. Electron. Lett., 30, 605 (1994).
J.H. Tsai, Y.C. Chu, S.Y. Chiu, K.P. Zhu, Y.J. Chu, J.S. Chen. Semicond. Sci. Technol., 20, 152 (2005)
H. Kawai, T. Kobayashi, F. Nakamura, K. Taira. Electron. Lett., 25, 609 (1989)
L.L. Liou, J. Ebel, C.I. Huang. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 742 (1992)
J.J. Liou, C.S. Ho, L.L. Liou, C.I. Huang. Sol. St. Electron., 36, 819 (1993)
J.H. Tsai, L.W. Laih, H.J. Shih, W.C. Liu, H.H. Lin. Sol. St. Electron., 39, 1723 (1996)
H.R. Chen, C.H. Huang, C.Y. Chang, C.P. Lee, K.L. Tsai, J.S. Tsang. IEEE Electron. Dev. Lett., 15, 286 (1994)
W.S. Lour. IEEE Trans. Electron. Dev., 44, 346 (1997)
S.C. Lee, J.N. Kau, H.H. Lin. Appl. Phys. Lett., 45, 1114 (1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель