"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Твердотельные преобразователи изображения на основе структур GaAs/ZnS
Калыгина В.М.1, Тяжев А.В.1, Яскевич Т.М.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 31 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Исследованы вольт-яркостные характеристики и частотные зависимости яркости свечения электролюминесцентных конденсаторов на основе люминофора ZnS : Cu,Al. Изучено влияние рентгеновского излучения (17 кэВ) на высокоомные слои GaAs, полученные тремя способами. С помощью математического моделирования показана возможность создания детекторов ионизирующего излучения с оптическим считыванием информации при использовании структур GaAs/ZnS. Отмечено, что наиболее перспективным материалом для разработки твердотельных преобразователей изображения оказывается GaAs : Cr, полученный диффузией хрома из напыленного слоя. PACS: 73.61.Ey, 78.60.Fi, 78.66.Fd, 78.66.Hf, 85.60.Jb, 85.60.Pg
  1. D.L. Budnitsky, O.B. Koretskaya, V.A. Novikov, L.S. Okaevich, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov, A.V. Tyazhev, A.P. Vorobiev. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., A509 (1-3), 34 (2003)
  2. О.Н. Казанкин, И.Я. Лямичев, Ю.Н. Николаев, И.Н. Орлов, Ф.В. Сорокин, Н.И. Таборко, М.В. Фок. Прикладная электролюминесценция (М., Сов. радио, 1974) с. 80
  3. Д.Л. Будницкий, В.А. Новиков, О.П. Толбанов, И.А. Прудаев. Изв. вузов. Физика, 51, 84 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.