"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов
Ионычев В.К.1, Ребров А.Н.1
1Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Проведено исследование статистической задержки пробоя микроплазмы в кремниевых эпитаксиальных p-n-переходах. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением напряжения на p-n-переходе статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров. В температурном диапазоне 100-220 K обнаружено четыре глубоких уровня, и определены их параметры. PACS: 71.55.Cn, 85.30.Kk, 85.30.Mn
  1. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  2. M.W. Nield, J.H. Leck. J. Appl. Phys., 18, 185 (1967)
  3. K.I. Nuttall, M.W. Nield. Sol. St. Electron., 18, 13 (1975)
  4. G. Ferenczi. Sol. St. Electron., 17, 903 (1974)
  5. С.В. Булярский, Ю.П. Сережкин, В.К. Ионычев. ФТП, 33, 1345 (1999)
  6. С.В. Булярский, В.К. Ионычев, В.В. Кузьмин. ФТП, 37, 117 (2003)
  7. А.С. Кюрегян, Ю.Н. Сережкин. ФТП, 15, 689 (1981)
  8. С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., Изд-во МГУ, 1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.