"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов
Ионычев В.К.1, Ребров А.Н.1
1Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Проведено исследование статистической задержки пробоя микроплазмы в кремниевых эпитаксиальных p-n-переходах. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением напряжения на p-n-переходе статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров. В температурном диапазоне 100-220 K обнаружено четыре глубоких уровня, и определены их параметры. PACS: 71.55.Cn, 85.30.Kk, 85.30.Mn
  • И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  • M.W. Nield, J.H. Leck. J. Appl. Phys., 18, 185 (1967)
  • K.I. Nuttall, M.W. Nield. Sol. St. Electron., 18, 13 (1975)
  • G. Ferenczi. Sol. St. Electron., 17, 903 (1974)
  • С.В. Булярский, Ю.П. Сережкин, В.К. Ионычев. ФТП, 33, 1345 (1999)
  • С.В. Булярский, В.К. Ионычев, В.В. Кузьмин. ФТП, 37, 117 (2003)
  • А.С. Кюрегян, Ю.Н. Сережкин. ФТП, 15, 689 (1981)
  • С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., Изд-во МГУ, 1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.