"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Работа полупроводникового прерывателя при микросекундном времени накачки и низкой плотности тока
Васильев П.В.1, Любутин С.К.1, Пономарев А.В.1, Рукин С.Н.1, Словиковский Б.Г.1, Цыранов С.Н.1, Чолах С.О.1
1Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 6 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Исследован механизм работы полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода) при микросекундном времени прямой накачки и низкой плотности тока. В эксперименте при времени обратной накачки ~200 нс и плотности обрываемого тока около 120 А/см2 получено время обрыва тока менее 10 нс при напряжении на SOS-диоде до 80 кВ. Приведены результаты численного моделирования процессов динамики электронно-дырочной плазмы в диоде на стадиях накачки и обрыва тока. Показано, что стадия обрыва тока аналогична режиму SOS-эффекта, реализуемого при высокой плотности тока, и также связана с движением концентрационного фронта избыточной плазмы вдоль высоколегированной p-области структуры. Несмотря на низкую плотность тока в процессе его обрыва, процесс коммутации занимает несколько наносекунд. Это связано с тем, что малая величина плотности тока компенсируется малой концентрацией избыточной плазмы на фронте, что сохраняет высокую скорость движения этого фронта на стадии обрыва тока. PACS: 84.30.Jc, 85.30.-z, 84.70.+p, 72.30.+q, 73.50.Mk
  • С.Н. Рукин. ПТЭ, N 4, 5 (1999)
  • А.И. Бушляков, С.К. Любутин, А.В. Пономарев и др. ПТЭ, N 4, 72 (2006)
  • И.В. Грехов. Г.А. Месяц. УФН, 175 (7), 735 (2005)
  • С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Письма ЖТФ, 30 (1), 43 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.