На основе физико-математической модели исследован процесс субнаносекундного обрыва тока высокой плотности в структуре SOS-диода. Модель учитывает объемный заряд, а также влияние электрического поля, температуры, электронно-дырочного рассеяния и рассеяния на ионизованных примесях на подвижность носителей. Установлено, что при глубине залегания p-n-перехода более 180 мкм, времени прямой накачки менее 60 нс и времени обратной накачки менее 20 нс, реализуется субнаносекундный обрыв тока плотностью в единицы кА/см². Механизм обусловлен возникновением на стадии обрыва тока трех областей сильного поля: двух, расширяющихся со скоростью, близкой к насыщенной, расположенных в p-области, и одной, медленно расширяющейся, в n-области структуры. Показано, что для реализации субнаносекундного обрыва тока необходимо одновременное выполнение совокупности условий по параметрам электрической схемы, определяющим продолжительность и плотность тока накачки, и профилю легирования полупроводниковой структуры. Полученные результаты сравниваются с экспериментом. PACS: 84.30.Jc, 85.30.De, 85.30.Kk, 84.70.+p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.