"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев GaN : Mg, выращенных методом МО ГФЭ
Лундин В.В.1, Сахаров А.В.1, Заварин Е.Е.1, Синицын М.А.1, Николаев А.Е.1, Михайловский Г.А.1, Брунков П.Н.1, Гончаров В.В.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Магний является единственной легирующей примесью для получения слоев GaN p-типа проводимости методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Большая энергия активации магния в GaN требует высоких концентраций вводимой примеси, что приводит к ухудшению морфологии растущих слоев. В работе описано влияние режимов роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, легированных магнием. Показано, что морфология поверхности сильно легированных слоев зависит от среднего содержания магния в слое и значительно улучшается при использовании азота в качестве несущего газа. PACS: 81.05.Ea, 81.15.Gh, 61.72.uj, 68.37.Ps
  1. И.Ф. Четверикова, М.В. Чукичев, А.П. Храмцов. Обзоры по электрон. техн. Сер. 6. Материалы, вып. 8, 911 (1982); Обзоры по электрон. техн. Сер. 6. Материалы, вып. 8, 945 (1983)
  2. M. Inamori, H. Sakai, T. Tanaka, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 1190 (1995)
  3. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, N. Iwasa. Jpn. J. Appl. Phys., 31 L139 (1992)
  4. C. Yuan, T. Salagaj, A. Gurary, P. Zawadzki, C.S. Chern, W. Kroll, R.A. Stall, Y. Li, M. Shurman, C.-Y. Hwang, W.E. Mayo, Y. Lu, S.J. Pearton, S. Krishnankutty, R.M. Kolbas. J. Electrochem. Soc., 142 (9), 738 (1995)
  5. И.П. Смирнова, Д.А. Закгейм, М.М. Кулагина, Л.К. Марков. Тез. докл. 4-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия" (М., 2005) с. 134
  6. D.P. Griffis, R. Loesing, D.A. Ricks, M.D. Bremser, R.F. Davis. Proc. 11th Int. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry, Orlando, Florida, Sept. 7-12, 1997 (John Wiley and Sons, 1998) p. 201
  7. B. Schineller, A. Guttzeit, O. Schon, M. Heuken, K. Heim, R. Beccard. Proc. Int. Conf. on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweeden, 1997) p. 548
  8. T. Wunderer, P. Bruckner, B. Neubert, F. Scholz, M. Feneberg, F. Lipski, M. Schirra, K. Thonke. Appl. Phys. Lett., 89, 041 121 (2006)
  9. В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников. ФТП, 42 (2), 233 (2008)
  10. Huaibing Wanga, Jianping Liua, Nanhui Niua, Guangdi Shena, Shuming Zhang. J. Cryst. Growth, 304 (7-10), 738 (2007)
  11. M.L. Nakarmi, K.H. Kim, J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 82, 3041 (2003)
  12. В.В. Лундин. Автореф. канд. дис. (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.