"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мощные диодные лазеры (lambda=1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP
Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Фетисова Н.В.1, Лешко А.Ю.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Рябоштан Ю.А.2, Мармалюк А.А.2, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ФГУП НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2009 г.

Экспериментально показаны преимущества концепции мощных полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур диапазона длин волн излучения 1700-1800 нм, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов InGaAsP/InP. Установлено, что применение расширенного волновода позволяет снизить внутренние оптические потери до 2 см-1 в квантово-размерных асимметричных двойных гетероструктурах раздельного ограничения InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1.76 мкм. На основе разработанных гетероструктур созданы многомодовые лазеры, излучающие оптическую мощность 2.5 Вт в апертуре 100 мкм при комнатной температуре в непрерывном режиме. Показано, что применение сильно напряженных квантово-размерных слоев InGaAsP в качестве активной области позволяет получать значения характеристической температуры T0=50-60 K. PACS: 42.55.Px
  1. S. Vatnik, E. Balashov, A. Pavljuk, E. Golikova, A. Lyutetskiy. Opt. Commun., 220, 397 (2003)
  2. E. Sorokin, S. Naumov, I.T. Sorokina. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 11 (3), 690 (2005)
  3. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 28 (3), 66 (2002)
  4. А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, В.В. Шамахов, А.Ю. Андреев, Ю.А. Рябоштан, Е.Г. Голикова, И.С. Тарасов. ФТП, 37 (11), 1394 (2003)
  5. А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Г. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29 (7), 55 (2003)
  6. А.В. Лютецкий, К.С. Борщев, А.Д. Бондарев, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (7), 883 (2007)
  7. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38 (3), 374 (2004)
  8. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zn.I. Alferov. Electron. Lett., 40, 1413 (2004)
  9. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)
  10. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
  11. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
  12. X. He, D. Xu, A. Ovtchinnikov, S. Wilson, F. Malarayap, R. Supe, R. Patel. Electron. Lett., 35, 1343 (1999)
  13. А.В. Лютецкий, К.С. Борщев, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (1), 106 (2008)
  14. J.S. Major, D.W. Nam, J.S. Osinski, D.F. Welch. IEEE Photon. Technol. Lett., 5, 594 (1993)
  15. H.K. Choi, S.J. Eglash. IEEE J. Quant. Electron., QE-27, 1555 (1991)
  16. H.K. Choi, S.J. Eglash. Appl. Phys. Lett., 61, 1154 (1992)
  17. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34 (7), 886 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.