"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поглощение, спектры возбуждения люминесценции и инфракрасного пропускания кристаллов ZnS(O)-ZnSe(O) в модели непересекающихся зон
Морозова Н.К.1, Мидерос Д.А.1, Данилевич Н.Д.1
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Приведены результаты оптических исследований спектров поглощения, возбуждения люминесценции и инфракрасного пропускания для системы твердых растворов с резким несоответствием свойств анионов ZnS(O)-ZnSe(O). Показано, что применение теории непересекающихся зон дает глобальное объяснение особенностей их оптических свойств, которые ранее не получали интерпретации. В работе представлена зонная модель переходов с поглощением в сложной мультизоне, инициированной кислородом. Дается интерпретация деталей спектров поглощения, возбуждения люминесценции, свидетельствующих о распределении и формах присутствия кислорода в кристаллах. Рассмотрено влияние кислорода на полосу пропускания ZnS-ZnSe в ближнем инфракрасном диапазоне. Дан новый подход к интерпретации инфракрасных полос поглощения, обусловленных присутствием растворенного кислорода. Предложены схемы расчета, позволяющие определить спектральное положение полос в зависимости от концентрации растворенного кислорода. PACS: 71.23.An, 71.55.Gs, 78.40.Fy, 78.55.Et, 78.66.Hf
  1. K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan, J.W. Beeman, M.A. Scarpulla, O.D. Dubon, P. Becla. Phys. Rev. Lett., 91 (24), 246 403 (2003)
  2. W. Sahn, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson. Phys. Rev. Lett., 82 (6), 1221 (1999)
  3. J. Wu, W. Walukiewicz, E.E. Haller. Phys. Rev. B, 65, 233 210 (2002)
  4. P. Perlin, P. Wisniewski, C. Skierbiszewski, T. Suski, E. Kaminska, S.G. Subramanya, E.R. Weber, D.E. Mars, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 76, 1279 (2000)
  5. C. Tablero. Phys. Rev. B, 72, 035 213 (2005)
  6. D.J. Friedman, J.F. Geisz, S.R. Kurtz, D. Myers, J.M. Olson. J. Cryst. Growth, 195, 409 (1998)
  7. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян. ФТП, 42 (2), 131 (2008)
  8. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян. ФТП, 42 (2), 131 (2008)
  9. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос. Изв. вузов. Электроника, N 3, 12 (2007)
  10. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос. Изв. вузов. Электроника, N 3, 3 (2008)
  11. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук. Изв. вузов. Физика, 10, 166 (2006)
  12. Д.А. Мидерос, Н.К. Морозова. Матер. докл. 36 межд. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2006) с. 163
  13. Д.А. Мидерос, Н.К. Морозова. Матер. докл. 37 межд. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2007) с. 156
  14. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, К.В. Голуб, Н.Д. Данилевич, В.М. Лисицын, В.И. Олешко. ФТП, 39 (5), 513 (2005)
  15. Н.К. Морозова. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1964)
  16. Jingbo Li, Su-Huai Wei. Phys. Rev. B, 73, 41 201 (2006)
  17. J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager III, S.X. Li, E.E. Haller, Hai Lu, William J. Schaff. Sol. St. Commun., 127, 411 (2003)
  18. S.X. Li, E.E. Haller, K.M. Yu, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, J. Wu, W. Shan, Hai Lu, William J. Schaff. Lawrence Berkeley National Laboratory (2005) paper LBNL-57562
  19. В.В. Блинов. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2003)
  20. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук, В.Г. Плотниченко, Э.В. Яшина, В.Б. Иконников. ФТП, 38 (1), 39 (2004)
  21. А.В. Квит, С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, Е.Е. Онищенко, А.В. Клоков, В.С. Багаев, А.В. Цикунов, А.В. Пересторонин, М.В. Якимов. ФТТ, 40 (6), 1010 (1998)
  22. M.J. Seong, H. Alawadhi, I. Miotkowski, A.K. Ramdas, S. Miotkowska. Phys. Rev. B, 62 (3), 1866 (2000)
  23. Н.К. Морозова, В.Г. Плотниченко, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян, Э.В. Яшина. Неорг. матер., 40 (11), 1138 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.