"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О природе << тяжелых>> электронов в бесщелевом полупроводнике HgTe p-типа
Даунов М.И.1, Камилов И.К.1, Габибов С.Ф.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 18 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Для объяснения низкотемпературных особенностей электронного транспорта в бесщелевом полупроводнике p-HgTe предлагается модель, согласно которой "тяжелыми" электронами являются электроны зоны проводимости, локализованные в ямах флуктуационного потенциала. Проанализированы экспериментальные данные о температурах, магнитополевых и барических зависимостях коэффициента Холла R(T,H,P) и удельной электропроводности sigma0(T,P) в слабо легированном умеренно компенсированном и в сильно легированном образцах p-HgTe. PACS: 72.20.Fr, 72.20.My, 71.20.Nr, 71.55.Gs
  1. I.M. Tsidilkovski, G.I. Harus, N.G. Shelushinina. Adv. Phys., 34 (1), 43 (1985)
  2. И.М. Цидильковский. Бесщелевые полупроводники. Новый класс веществ (М., Наука, 1986)
  3. И.М. Цидильковский. Электронный спектр бесщелевых полупроводников (Екатеринбург, 1991)
  4. И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. Письма ЖЭТФ, 54, 589 (1991)
  5. М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. ФТП, 25, 3, 467 (1991)
  6. И.К. Камилов, И.М. Даунов, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ, 104, 2436 (1993)
  7. М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ, 84 (2), 309 (1997)
  8. М.И. Даунов, И.К. Камилов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. Докл. РАН, 42 (12), 657 (1997)
  9. М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов, А.Ш. Киракосян. ФТП, 33 (1), 36 (1999)
  10. О. Моделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
  11. Н.Н. Аблязов, М.Э. Райх, А.Л. Эфрос. Письма ЖЭТФ, 38 (3), 103 (1983)
  12. Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  13. M.I. Daunov, E.L. Broyda. Phys. Status Solidi B, 55, K155 (1973)
  14. J. Stankiewicz, W. Giriat. Phys. Rev. B, 13 (2), 665 (1976)
  15. E.O. Kane. Phys. Chem. Sol. 1, 24g (1957)
  16. S.H. Groves, W. Paul. Phys. Rev. Lett., 11, 194 (1963)
  17. W. Zawadzki, R. Kowalczuk, J. Kolodziejczak. Phys. Status Solidi, 10, 513 (1965)
  18. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  19. М.И. Даунов. УФЖ, 13 (10), 1633 (1968)
  20. М.И. Даунов. Докл. АН АзССР, 23 (3), 10 (1967)
  21. В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Константинова, Р.В. Парфеньев и др. ФТП, 7 (4), 715 (1973)
  22. А. Матуленис, Ю. Пожела, Е. Шимулите, В. Юцене. В сб.: Полупроводниковые преобразователи (Вильнюс, Мокслас, 1980) с. 141
  23. И.К. Камилов, М.И. Даунов, С.Ф. Габибов. Тез. докл. VII Росс. конф. по физике полупроводников " Полупроводники--2005" (М., 2005) с. 42
  24. M.I. Daunov, I.K. Kamilov, S.F. Gabibov. Abstracts 12th Int. Conf. HPSP (Barcelona, Spine, 2006) Mo-P1-38

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.