Вышедшие номера
О природе << тяжелых>> электронов в бесщелевом полупроводнике HgTe p-типа
Даунов М.И.1, Камилов И.К.1, Габибов С.Ф.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 18 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Для объяснения низкотемпературных особенностей электронного транспорта в бесщелевом полупроводнике p-HgTe предлагается модель, согласно которой "тяжелыми" электронами являются электроны зоны проводимости, локализованные в ямах флуктуационного потенциала. Проанализированы экспериментальные данные о температурах, магнитополевых и барических зависимостях коэффициента Холла R(T,H,P) и удельной электропроводности sigma0(T,P) в слабо легированном умеренно компенсированном и в сильно легированном образцах p-HgTe. PACS: 72.20.Fr, 72.20.My, 71.20.Nr, 71.55.Gs