"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние gamma-облучения на механизм переноса тока в гетероструктурах n-CdS/p-CdTe
Музафарова С.А.1, Мирсагатов Ш.А.1, Джамалов Ф.Н.1
1Физико-технический институт, Научно-производственное объединение "Физика солнца" Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 13 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Рассматривается влияние облучения gamma-квантами на механизм переноса тока в гетероструктуре n-CdS/p-CdTe. Показано, что прямая вольт-амперная характеристика гетероструктуры n-CdS/p-CdTe до и после облучения описывается двумя экспоненциальными зависимостями: I=I0exp(qV/C01kT) и I=I02exp(qV/C02kT). Выявлено, что на первом участке вольт-амперной характеристики ток ограничивается термоэлектронной эмиссией, на втором участке --- рекомбинацией неравновесных носителей заряда в электронейтральной части твердого раствора CdTe1-xSx на гетерогранице n-CdS/p-CdTe. Аномальные дозовые зависимости параметров гетеросистемы n-CdS/p-CdTe объяснены изменением степени компенсации локальных центров на границе раздела CdS--CdTe1-xSx и в слоях CdTe1-xSx в зависимости от дозы облучения gamma-квантами. PACS: 73.61.Ga, 73.40.Lq, 61.82.Fk, 71.55.Gs, 81.40.Wx
  1. G. Khrypunov, A. Romeo, F. Kurdesau, D.L. Batzner, H. Zogg. Solar Cells. Energy Mater. \& Solar Cells, 90, 664 (2006)
  2. D.L. Batzner, A. Romeo, M. Terheggen, M. Dobeli, H. Zogg, A.N. Tiwari. Thin Sol. Films, 451--452, 536 (2004)
  3. M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kayudanov, R.T. Collins. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3503 (1999)
  4. K. Ohata, J. Sarate, T. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 12 (10), 1641 (1973)
  5. Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорг. матер., 41 (8), 915 (2005)
  6. Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова. Матер. конф. "Физика в Узбекистане" (Узбекистан, Ташкент, 27--28 сентября 2005 г.) c. 97
  7. Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, Б.У. Айтбаев. Матер. респ. конф. "Рост, свойства и применение кристаллов" (Узбекистан, Нукус, 27--29 октября2005 г.) с. 55
  8. Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова. Укр. физ. журн., N 11--12, 1126 (2006)
  9. С.А. Музафарова, Ш.А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов. ФТТ, 49 (6), 1111 (2007)
  10. S.Zh. Karazhanov. J. Appl. Phys., 89 (8), 3707 (2001)
  11. S.Zh. Karazhanov. J. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2689 (2000)
  12. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2
  13. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975)
  14. Дж. Динс, А. Дамаск. Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1972)
  15. Х.Х. Маннанова, Х.Р. Ниязов, О.Р. Ниязова. В кн.: Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах (Ташкент, Фан, 1969) с. 41
  16. В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационне эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)
  17. M. Yamaguchi, S.J. Taylor, M. Ju Yang, S. Matsuda, O. Kawasaki, T. Hisamatsu. Jpn. J. Appl. Phys., 35 (7), Pt 1, 3918 (1996)
  18. M. Imaizumi, S.J. Taylor, M. Yamaguchi, T. Ito, T. Hisamatsu, S. Matsuda. J. Appl. Phys., 85 (3), 1916 (1999)
  19. В.И. Стафеев. ЖТФ, 29 (8), 1631 (1958)
  20. A.M. Goodmann. J. Appl. Phys., 32 (11), 2550 (1961)
  21. K. Zanio. Cadmium Telluride. In: Semiconductors and Semimetals (N.Y., Academic Press, 1978) v. 13

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.